全文获取类型
收费全文 | 25210篇 |
免费 | 2081篇 |
国内免费 | 3205篇 |
专业分类
化学 | 6947篇 |
晶体学 | 417篇 |
力学 | 310篇 |
综合类 | 182篇 |
数学 | 145篇 |
物理学 | 3821篇 |
无线电 | 18674篇 |
出版年
2024年 | 99篇 |
2023年 | 338篇 |
2022年 | 403篇 |
2021年 | 444篇 |
2020年 | 305篇 |
2019年 | 419篇 |
2018年 | 250篇 |
2017年 | 345篇 |
2016年 | 413篇 |
2015年 | 494篇 |
2014年 | 1254篇 |
2013年 | 928篇 |
2012年 | 1579篇 |
2011年 | 1767篇 |
2010年 | 1499篇 |
2009年 | 1930篇 |
2008年 | 2258篇 |
2007年 | 1604篇 |
2006年 | 1791篇 |
2005年 | 1898篇 |
2004年 | 1653篇 |
2003年 | 1259篇 |
2002年 | 949篇 |
2001年 | 785篇 |
2000年 | 675篇 |
1999年 | 594篇 |
1998年 | 586篇 |
1997年 | 561篇 |
1996年 | 558篇 |
1995年 | 526篇 |
1994年 | 402篇 |
1993年 | 359篇 |
1992年 | 368篇 |
1991年 | 387篇 |
1990年 | 351篇 |
1989年 | 333篇 |
1988年 | 66篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 10篇 |
1984年 | 13篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 5篇 |
1975年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 62 毫秒
71.
田敬民 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):284-288
采用静电喷雾高温分解工艺制备SnO2气敏膜,并与Si3N4-SiO2集成多层介质膜,用催化金属Pt作栅电极,制成新型的MSIS结构气敏电容。通过检测平带电压的变化,研究对H2和O2的气敏特性,分析其气敏机理并提出了检测的物理模型. 相似文献
72.
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件方面更显出其独特的优点。 相似文献
73.
本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术.该技术包括利用PECVD法在腐蚀硅片背面沉积400~800nm厚的非晶硅膜,再经过650~680℃温度的热处理,使沉积膜与硅片结合更牢固,之后,把硅片进行抛光.结果表明,该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷,同时硅片表面层少子寿命可提高2~4倍. 相似文献
74.
本文利用光电子能谱(XPS和UPS)技术研究了室温下O2和Rb在InSb(111)表面上共吸附,分析了碱金属Rb在InSb(111)表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明,Rb与InSb表面上的Sb发生化学反应,Rb在InSb表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率,衬底表面上的In和Sb被氧化,分别生成锑和铟的氧化物。在O2吸附的过程中,还观察到两种Rb的氧化物,即过氧化铷(Rb2O2 相似文献
75.
76.
转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性,其中包括阴极的内部量子效率,电子的能量分布函数,谷间转移效率,同时也给出了阴极的时间响应特性. 相似文献
77.
采用固相反应法合成了单相的Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_xNiSn(x=0·00—0·15),并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料.研究了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律.结果表明:少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化,显著地降低了体系的热导率κ,同时显著地提高了体系的Seebeck系数α.组成为Ti_(1-x)(Hf_(0·919)Zr_(0·08))_(0.15)NiSn的试样室温热导率为3·72W·m-1K-1,在700K时ZT值达到最大为0·56.与三元TiNiSn相比,在相同温度下ZT值的提高率为190%—310%. 相似文献
78.
79.
在长距离无线光通信中,接收点光功率密度与光束发散角平方呈反比关系,为了获得小的发散角和大的功率耦合效率,要求准直系统有较大的数值孔径(NA),但数值孔径过大会增加像差,因此合理设计功率耦合效率与准直系统的数值孔径就非常重要。该文对半导体激光器光束准直系统中功率耦合效率进行了研究,给出了半导体激光器光束功率耦合效率与k(孔径半径与孔径处等效光束半径之比)的关系表达式,并结合激光器光束准直系统,给出了半导体激光器光束功率耦合效率与准直系统数值孔径的关系表达式。该研究结论对于半导体激光器光束准直系统设计具有参考作用。 相似文献
80.
采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。 相似文献