利用SOA自发辐射和非对称马赫-泽德尔干涉仪实现全光波长变换的研究

对利用SOA中ASE输出频谱,实现全光波长变换的技术进行了理论与实验的研究.在这种波长变换技术中,信号光涮制SOA中的ASE强度和相位,通过光滤波器对ASE输出光谱进行频谱分割,以产生所需要的变换波长信号,并结合一个非对称马赫一泽德尔干涉仪实现信号码型的再反转.根据ASE输出光谱的波长依存性,建立从理论上推导出同相注入模式下的ASE输出功率以及其相位变化的数学表达式.通过实验,测定了波长变换系统的信号误码率、眼图以及时间波形等,并对这些实验结果进行了分析.     

汉芯，IC时代的弄潮儿

2003年2月，上海交大汉芯科技成功研制国内首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”高性能、低功耗DSP芯片。“汉芯一号”使用国际先进的0．18微米半导体工艺，具有16位运算处理内核。经权威专家鉴定：属于同内首创，达到了国际先进水平，是中国芯片发展史上重要的里程碑。     

连结中外的桥梁——深圳市正和兴电子有限公司

8月中旬,在深圳举办的“环宇企业第四届半导体芯片技术研讨会”上,汇聚了许多来自我国芯片应用研究最前沿的科研生产单位的负责和技术人员,涉及航天、航空、电子、兵器、船舶等重要领域。一个由企业主办的研讨会,何以能持续8年,汇聚众多前沿的科研生产单位,越办越好?带着这样的疑问,记者采访了会议主办单位——深圳市正和兴电子有限公司的总经理张亚先生,请他为我介绍了公司和研讨会的背景情况。深圳市正和兴电子有限公司成立于1992年,总部为中国香港环宇企业。经过10 余年的发展,已拥有了1个贸易公司、1个开发公司、华东和北京2个办事处,共…     

聚合物分散液晶(PMMA:5CB:C60)光折变特性的实验研究

用溶致相分离方法制备了3种不同组分的聚合物分散液晶薄膜(PMMA：5CB：C60)，C60作为敏化剂。利用二波耦合实验测量了不同样品的衍射效率和响应时间等光折变特性，实验发现，液晶含量不同的薄膜光学性质有很大的不同。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

半导体制造中的电子显微分析

集成电路的特征尺寸越来越小，电子显微分析在微电子制造中成为不可缺少、不可替代的重要分析手段。本文根据扫描电子显微镜（SEM）及透射电子显微镜（TEM）在实际分析中的特长和局限，主要就仪器分辨率与结果的精确度的问题，讨论如何将两种分析技术有机地结合起来，扬长避短，取得最佳效果。     

美国博通是半导体供应运营商

2006年10月20日，ICTC2006数字电视论坛在杭州之江饭店举行。来自美国博通公司的John Gleitor先生做了题为《Broadcom为有线电视提供完整芯片解决方案》的精彩报告。