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151.
152.
张福甲  刘凤敏 《半导体光电》1997,18(6):375-379,425
介绍了间接跃迁的半导体AlP与GaP形成的超晶格,由于零折叠效应,实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变,从而增加了带间的光跃迁几率,并推导了该几率的表达式。  相似文献   
153.
155Mb/s时分光交换系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了国内第一个155Mb/s时分光交换实验系统。系统以新型半导体光器件-半导体光开关门为核心构成,传输速度为155Mb/s。  相似文献   
154.
固相配位化学反应研究(LⅪ)   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
155.
汪卫华  白海洋  张云  陈红  王文魁 《物理学报》1993,42(9):1499-1504
研究了Ni/非晶Si(a-Si)多层组分调制膜(ML)中界面上的固相反应。根据计算的亚稳自由能图,对界面上固相反应形成非晶态进行了热力学与动力学的分析。提出了Ni/a-Si多层膜中的固相反应的动力学模型。 关键词:  相似文献   
156.
安森美半导体公司推出的MC100EP809是一款带LVTTL时钟选择和使能接口的3.3V差分1∶9HST/PECL至HSTL时钟驱动器 ,它采用32引脚轻薄型四角扁平封装(LQFP) ,可用于计算机工作站、服务器、网络设备和电信系统的底板驱动时钟信号管理系统。MC100EP809是专为高性能和低电压的时钟管理而设计的 ,它具有超低抖动率和更高的信号集成度 ,而且占用面积小 ,尤其适合基于HSTL的信号电路。MC100EP809与3.0~3.6V的低电压系统电源兼容 ,其电耗低于90mA ,输入接口可由低电压晶…  相似文献   
157.
158.
利用半导体光放大器进行光脉冲消基座的理论研究   总被引:5,自引:4,他引:1  
提出了一种利用半导体光放大器(SOA)联合可调谐光滤波器进行高阶孤子压缩消基座的新方法.进行了详尽的理论分析和优化.数值计算表明,在一定条件下,这种方法能够在不展宽脉冲的前提下,对基座进行有效地抑制.  相似文献   
159.
160.
对GaN和ZnSe系两类主要材料制备蓝绿色激光器方面的问题和发展动向作了介绍。  相似文献   
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