氧碘化学激光气固相化学反应体系热力学分析

氧碘化学激光器（COIL）的发展已经到了提高系统安全性和工作环境适应性、降低系统复杂性阶段，而改进O2（^1△g）的产生方式和方法正是这个阶段的重要工作内容之一。近期，美国空军研究实验室运用气-固相反应方式产生O2（^1△g）。采用碱金属过氧化物或碱土金属过氧化物与卤化氢反应，生成O2（^1△g）。通常气一固相反应有着反应速度慢，接触面积小，反应产物难以脱出固体表面的缺陷，使得产出率低，而不被广泛采用。但随着表面化学研究的突飞猛进，借助表面活化分子，特殊性质的表面构造，大表面的构造，都为气一固相反应的进行提供了可行途径。如果此方法能用在氧碘激光器上，将克服传统方法的诸多不足。     

EasyHD实验室：致力于数字家庭接口互联

在7月18—19日召开的2007中国数字家庭产业峰会上,硅谷数模半导体正式对外宣布,已运营两年多并备受广大家电厂商好评的"HDMl互连互通测试实验     

Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP（100） Surface

We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder.     

静压下ZnS：Te中Te等电子陷阱的发光

研究了4块ZnS：Te薄膜样品(Te组分从0．5％到3．1％)的光致发光谱在常压下的温度特性．对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰，分别来自Te1和Te2等电子陷阱；而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光．我们还研究了这些发光峰在低温1．5K下的流体静压压力行为．观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多，而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小．根据Koster-Slater模型，价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因，而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的．     

飞兆半导体：为功率和模拟器件发展提速

在飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）重新成为独立公司的8周年庆典大会上，飞兆半导体新任总裁兼首席执行官Mark Thompson宣布了该公司迈入新纪元的新战略。     

强势品牌 优势独具——访西格里特种石墨(上海)有限公司总经理韩伯雷,销售总监洪敏先生

近几年，我国的半导体集成电路产业伴随着我国电子信息产业的大幅增长得到进飞跃的发展，这也为半导体零配件供应商带来了广阔的发展空间，而制备某些半导体零配件的重要材料一高纯度的石墨产品在其中又占有非常重要的地位。     

IC与半导体

英飞凌集成射频和中频功能的调谐器集成电路；ST在16位微控制器内新增高密度闪存；赛普拉斯推出全功能、高速USB控制器；卓然公司推出系统级芯片APPROACH5。