照相枪负载温度特性

本文就照相抢负载影响的因素，尤对影响照相枪负载的温度特性作了介绍，并列举了对其的计算公式。     

高温超导体Jc（J,B,θ）特性及其维度效应

高温超导体的临界电流密度（Ｊｃ）的温度，磁场和取向关系特性Ｊｃ（Ｔ，Ｂ，θ）及其维度效应，是高温超导电性的中心课题。近几年取得了一系列重要结果。本文对此加以评述。     

功率MOSFET反向特性的分析模拟

本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟，着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用，并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析，提出了改善措施，并得到了与实际相符合的结论．     

双模SU（2）相干态光场的位相特性

本文用Ｂａｒｎｅｔｔ－Ｐｅｇｇ位相理论研究了一类具有反关联特性的双模场即ＳＵ（２）相干态场的位相特性。给出了限制在２π范围的位相概率分布函数和方差的表达式，并证明了单个场模的位相及两个场模的位相之和都是随机分布的。结果还表明，当光场较强且两模的平均光子数近似相等时，两模的位相差几乎不变，发生“锁相”现象。     

基于邻域统计特性的概率神经网络及其在自动目标识别中的应用

在概率神经的一种改进模型－ＦＤＯ网络的基础上，提出在设计网络收敛域时进一步考虑每一像素点周围８邻域的影响，对网络的作用函数加以修，使改进后的网络具有稳定性好且收敛速度快的优点。通过实验对改进前后网络的识别性能加以比较，证明改进后的网络特别适用于噪声图像的识别。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

超辐射发光二极管的结构特性及其应用

近几年来,由于超辐射发光二极管在光纤陀螺和光时域反射仪等方面的重要应用,已引起了人们的极大关注,许多国家都在竞相研制和开发.本文综述了目前超辐射发光二极管的主要结构和特性及其应用前景.     

MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

锥形有源条半导体光放大器增益和饱和特性分析

以行波半导体光放大器速度方程为基础，采用传输矩阵方法，对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度，不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明，锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下，长锥形长度能提高饱和增益，降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响，以实现结构优化 。