新型硅芯晶体炉的开发与设计

从分析硅芯晶体生长的工艺特点出发,简要介绍了硅芯晶体生长设备的设计思想以及新近开发设计的新型硅芯晶体炉的机械结构及电气控制系统。     

石墨炉原子吸收光谱法测定苦黄注射液及其中药材中的铅和镉

应用石墨炉原子吸收光谱（GF-AAS）法测定了苦黄注射液及其生中药材中铅及镉量。试样用浓硝酸及过氧化氢消解。对仪器的工作条件,包括波长、光谱带宽、灰化温度及原子化温度,作了试验和优化。选用柠檬酸作为基体改进剂,对大黄、茵陈、柴胡、苦参及“苦黄”注射液等试样中的铅及镉量作了测定,分析结果的相对标准偏差均小于4．4％。按标准加入法作了回收率试验,测得值在96%～110％之间。     

优化机组启动操作促进机组节能降耗

<国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要>提出了"十一五"期间单位国内生产总值能耗及主要污染物排放总量目标指标.作为耗能及排放大户的火力发电厂,以我国现有300MW直流锅炉运行概况.如何从机组启动操作、运行调整角度上进行优化,达到提高机组运行经济性、降低污染物排放量目标.     

封闭式零件清洗后的干燥

一种封闭式零件清洗后的干燥方法，以燃气为主要能源的旋转式干燥炉进行脱水干燥，对干燥炉的设计方案、机械结构和自动控制做了详尽的论述。     

石墨炉原子吸收光谱法测定山药中的铅

收集6种不同来源的山药样品,使用浓硝酸-浓高氯酸(4∶1,V/V)混合溶液进行消解,用石墨炉原子吸收光谱法测定山药中Pb含量.山药样品中Pb含量不高于0.854mg·kg-1.方法学考察加标回收率为95.00％,其RSD为3.14％.6种山药样品中铅含量均符合国家《药用植物及制剂进出口绿色行业标准》的限量指标(Pb≤5mg·kg-1).测定方法快速、灵敏,数据准确可靠.     

基于混沌离散PSO算法的乙烯生产过程模型变量的选择

管式炉裂解技术是当今乙烯生产的主要技术,乙烯生产过程中有多种影响质量指标的变量,将全部变量参与建模显然会增加建模难度和复杂性,并且大量的冗余信息会降低模型的精度;针对这一问题,提出了基于混沌思想的离散粒子群(PSO)算法进行模型变量的选择;首先,采用混沌离散PSO算法得到建模的最优输入变量集合,再通过偏最小二乘法(PLS)对所选变量进行建模;结果表明,该方法可更有效地克服传统粒子群算法容易陷入局部最优的问题并建立较高的模型精度。     

分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉研究

针对远红外探测器衬底制造对高品质碲锌镉单晶材料的需求,为了满足高品质碲锌镉单晶生长对高纯度原材料的需要,基于区熔提纯原理与工艺实现方法设计出一种由区熔炉炉体、移动加热装置、气路系统和电气控制系统等组成的分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉。采用氢气除杂、氮气保护和伺服机构控制加热温度场移动的方法来实现区熔提纯。在区熔窄区宽度为15 mm和倾斜角度为7°的条件下,开展了碲、锌和镉等原材料的区熔提纯实验。结果表明,当加热温度高于材料熔点50 K且移动速度为0.006 mm·s^-1时,区熔加热装置往复移动10次以上,可将碲锌镉晶体制备所需的原材料纯度由6N (99.9999%)提高到7N (99.99999%);分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉的加热温度、加热装置移动速度和移动稳定性较好。     

基于甲烷热解的石英舟熏碳炉设计与实验

制造红外探测器需使用碲锌镉等高纯度单晶材料。制备这类高纯度单晶体材料时,通常用区熔提纯法将原材料纯度由6N (99.9999%)提高到7N (99.99999%)。为了避免高温提纯环境下原材料与石英舟容器壁面粘连,先在石英舟壁面上形成一层厚度均匀、粘附性强的碳膜。针对石英舟表面用传统碳膜涂敷方法处理时存在涂层不均匀且杂质难于去除的问题,设计出一种在真空环境下将甲烷热解生成碳微粒,并将其粘附于石英舟壁面的熏碳炉。进行了加热温度与甲烷热解耗时计算以及加热控温性能与熏碳实验。结果表明,当加热温度在1000～1200 ℃之间时,甲烷热解25%耗时1.734～0.014 s,耗时短且容易实现碳膜粘接。当熏碳加热温度为1106 ℃时,熏碳区中部的控温精度为±0.1 ℃;在横向400~780 mm之间,石英管内腔温度大于等于1100 ℃。该熏碳炉的加热温度控制稳定性和熏碳性能较好,碳膜与石英舟之间的粘附性强,碳膜无污染且厚度均匀。     

连续40 W 808 nm量子阱线阵二极管激光封装技术

研究了高功率二极管激光 (LD)封装中的铟焊料蒸镀工艺和回流焊工艺对芯片焊接状态的影响。在数值模拟和实验研究的基础上 ,优化了冷却器结构设计 ,研制出具有热阻低、压降小的铜微通道液体冷却器 ,可以满足热耗散功率大于 6 0W的二极管激光器散热冷却需要。通过封装实验得到输出功率 40W ,波长 80 8nm ,谱线半高宽<2nm ,电光效率近 40 %的连续线阵二极管激光器。用该激光器进行了抽运Nd∶YAG固体激光实验 ,在抽运功率为 40W时 ,获得 11 8W单横模固体激光输出 ,光 光效率约为 30 %。     

利用装置环形永磁场的直拉炉（PMCZ）生长单晶硅和掺锗硅晶体

设计了一种永磁（钕铁硼）环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅（PMCZ法）．磁力线呈水平辐射状均匀分布．只要磁场强度足够强,即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离心强迫对流,从而有效地抑制了固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏,造成了一种类似于空间微重力环境下生长晶体的条件．在这种条件下,杂质和掺杂剂的运动方式受扩散规律控制．利用这种装置生长了掺锗（Ge∶Si重量比为1.0%,5.0%和10.0%）和不掺锗的硅晶体,获得了氧浓度较低,掺杂剂径向分布均匀性好的较高质量的晶体．该装置磁场强度可方便地通过调节磁环之间相对位置及磁环相对固液界面位置进行调控,满足不同工艺条件对不同的场强的要求．