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研究了基于0.5 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线。与常规CMOS工艺PNP晶体管特性对比,得到了带隙电压基准电路设计准则;采用DTMOS和抗辐射设计加固技术,完成了抗辐射加固CMOS基准设计。辐照试验结果表明,设计的抗辐射加固CMOS基准的抗总剂量能力达到了300 krad(Si)。 相似文献
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对70 GHz二次谐波倍频回旋速调管高频结构和电子与波互作用进行了研究。研究了TE02模腔体绕射品质因数及模式转化,解决了二次谐波倍频回旋速调管漂移段不能截止70 GHz的TE01模而引起的腔体间高频串扰的问题。分析了注电流、输入功率、电子横纵速度比和电子注引导中心半径等参数对输出功率、增益和效率的影响。针对二次谐波回旋速调管放大器工作频带窄、效率低,进行了高频结构优化设计,显著地展宽了工作频带,提高了互作用效率。在理论分析和高频计算的基础上,建立了注-波互作用PIC(粒子模拟)模型,进行了粒子模拟计算和优化,得到了70 GHz 的二次谐波倍频四腔回旋速调管放大器设计方案。粒子模拟结果表明:在工作电压70 kV,注电流13 A,电子注横向速度与纵向速度比为1.5时,中心频率69.81 GHz输出功率256 kW,带宽160 MHz,电子效率28%,饱和增益大于44 dB。 相似文献
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一些运营商正在考虑在其网络架构中融入云的理念,形成中央管控的模式,并且还在寻求能够传输100km的长距离传输技术,这将导致商业模式的彻底改变。PON技术演进的道路非常清晰,产品也非常明确,10G PON时代即将到来。 相似文献
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Patrick Heyer 《中国电子商情》2011,(8)
许多便携式设备选择锂离子(Li-Ion)化学电池作为其电池技术已经变得十分普遍。在要求的充电算法方面,这种化学电池已为人们所熟知,市场上有许多充电管理集成电路(IC),而其颇具竞争力的低成本又推动它在更多应用中使用。现在,电源、充电IC产品和系统架构种类繁多,工程师们忙于挑选合适的充电和充电保护拓扑结构。本文介绍了获得最大安全性、可靠性和系统性能的一些重要的系统保护方法和先进充电管理。 相似文献
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根据Brownstein-Tarr理论,采用特征函数展开法,通过求解基于扩散效应的Bloch控制方程,给出了油水饱和球管孔隙模型弛豫的理论计算公式.理论计算结果表明,在水润湿条件下,油的弛豫过程只与含油饱和度有关,而与岩石的孔隙结构无关.根据理论计算结果对球管模型中水的弛豫进行了数值模拟,模拟结果显示,球和管的主弛豫过程是一个单指数函数,其余部分与之相比可以忽略,即球管模型中水的弛豫可近似为一个双指数衰减过程.
关键词:
核磁共振
弛豫
球管孔隙模型
Bloch控制方程 相似文献
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