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121.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
122.
荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算 总被引:1,自引:1,他引:0
阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量,求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时,因其零场发射电流密度难于准确取值,温度无法直接测量,显得困难,须予解决,为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法,对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算,有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出,精度不很高,文中所用办法也不例外,但所得结果能反映阴极发射能力,所需仪器少,是实用方法。 相似文献
123.
本文侧重讨论了院校新型CATV550MHz邻频传输系统的干线设计以及选用MOTOROLA MHW6342T器件来改善了干线放大器性能。 相似文献
124.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
125.
廖小雄 《电子产品可靠性与环境试验》1996,(5):55-60
本文针对气候环境试验中的环境综合评价分别采用因子分析中的二种重要方法-主要分法和极大似然法,以某试验站的实测气候参数样本进行了详细分析,并得到相近的评价结果,其结果与常规的定性评价效果相吻合。 相似文献
127.
转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性,其中包括阴极的内部量子效率,电子的能量分布函数,谷间转移效率,同时也给出了阴极的时间响应特性. 相似文献
128.
129.
固体间界面的物理模型和界面对声波的反射 总被引:4,自引:0,他引:4
简要描述了模拟两固体间界面特性的弹簧模型,该模型最早是根据静力学方法提出的,后来用固体间界面薄层的声波反射方法加以改进,从界面弹簧模型可以方便地得到界面外近似边界条件,其中包含界面“弹簧”振子的劲度常数和质量,文章还给出了两相间固体中界面声反射系数的表达式,介绍了测量界面劲度常数的超声反射谱方法。最后讨论了仍关声波与界面相互作用研究领域中最近的一些研究进展。 相似文献
130.
多种时序模型的建模比较 总被引:3,自引:0,他引:3
本文通过不同的时间序列模型对同一批数据的建模及预报,在不同的模型间进行了比较,并且根据原始数据的性质指出了一些时间序列模型的适用范围, 相似文献