0. 6 􀀁m CMOS 雷达天线专用控制芯片设计

雷达系统中天线控制电路完成上位机的初始化和扫描角度控制,要求具有高可靠性和低静态电流,用专用集成电路进行设计具有明显优势.采用Verilog HDL语言描述了系统的逻辑功能,超前进位结构的加/减法器提高了电路的工作速度.利用0.6 μm CMOS工艺完成了天线控制电路的物理实现,芯片面积为1.695 mm×1.631 mm.     

用于千兆以太网基带铜缆接收器均衡的甚高频自适应 连续时间Gm-C 二阶带通滤波器的研究和设计

本文设计了用于千兆以太网基带铜缆接收器均衡的甚高频自适应连续时间Gm-C二阶带通滤波器。基于最陡梯度下降算法，带通滤波器的零点在57－340MHz的频率范围内可以自适应地调节，中心频率为1.278GHz。通过外接电阻伺服环路，滤波器中跨导转换器的跨导值不受工艺偏差和温度变化的影响，采用CSMC－HJ0.6μm CMOS工艺器件模型，用Cadence Spectres仿真器仿真了设计的自适应滤波器电路，仿真结果验证了设计原理和设计的电路。系统的最长学习时间为880个参考时钟周期。     

A Facile Synthesis of Silver-Coated Composite Particles by Swelling Surface Method

We report a facile and rapid method for fabrication of composite particles consisting of a polystyrene (PS) core and a uniform silver shell. The process involves the PS colloid surface swelling, the anchoring of silver ions and nanoparticles onto the surfaces, and the subsequent growth of metal seeds in a short period. The present approach has the advantages of simplicity and high efficiency. The TEM images show the morphology of the obtained PS core-silver shell particles, and their chemical composition and crystallinity are analysed by x-ray diffraction. To our knowledge, this is the first study based on swelling PS surface for synthesis of silver-coated PS particles and may be implemented for preparing other metal-coated PS particles.     

无铅工艺基础知识摘要

无铅工艺是对目前SMT工艺制程的新挑战。本文主要介绍无铅工艺的背景、发展、推行过程中遇到的问题、工艺技术设定与调整，以及常见问题的解决办法。[编者按]     

建立光学精密机械加工工艺数据库的设想

阐述了建立光学精密机械加工工艺数据库的必要性和可能性，并提出了在长春光机所建立光学精密机械加工工艺数据库的设想。     

高压0.18 μm先进工艺技术

1、简介项目名称:高压0.18μm先进工艺技术,该项目产品属于30V高工作电压的关键尺寸为0.18μm的逻辑器件。在8英寸硅片上经过32层光刻版制作完成的该产品集成了10余种晶体管,可广泛应用于手机、电脑、PDA、电视等液晶显示器的驱动器件。     

基于CAPPFramework的CAPP系统的开发与应用

在国家863CIMS目标产品CAPPFramework系统的基础上，研究了面向对象的信息建模技术、信息模型驱动的所见即所得工艺设计技术、工作流技术．并在此基础上进行集成化、智能化计算机辅助工艺设计(CAPP)的应用与开发，实现了工艺设计的自动化，基本达到了在信息集成基础上的工艺设计与工艺信息管理一体化的目的，对企业的CAPP实施具有一定的参考价值．     

环球仪器与清华大学合作编写《贴片工艺与设备》教科书

近日，电子工业出版社出版的《贴片工艺与设备》正式面世，本书由环球仪器公司和清华大学合作编写，通过环球仪器研发部门和清华一伟创力SMT实验室的共同努力，由环球仪器技术人员和清华大学老师以及其他业内专家组成团队完成。     

碳纳米管阵列、捆束的三步升温工艺制备及其形貌与结构

使用结构简单的单温炉设备，通过三步升温热解二茂铁、三聚氰氨混合物方法，在二氧化硅、多晶陶瓷基底上分别合成了碳纳米管阵列、碳纳米管捆束.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子能量损失谱和x射线光电子能谱对合成样品进行了结构和成分分析.结果显示：两种基底上合成的纳米管均为多壁纯碳管；生长于光滑二氧化硅表面的碳纳米管具有高度取向性和一致的外径，长度为10—40μm.碳纳米管采取催化剂顶端生长模式并展示出类杯状形貌；生长于粗糙多晶陶瓷表面的碳纳米管捆束随机取向，碳纳米管直径为15—80nm，长度在几百微米，展示 关键词： 碳纳米管 热解法 三步升温工艺