全文获取类型
收费全文 | 9986篇 |
免费 | 538篇 |
国内免费 | 706篇 |
专业分类
化学 | 877篇 |
晶体学 | 96篇 |
力学 | 84篇 |
综合类 | 81篇 |
数学 | 34篇 |
物理学 | 726篇 |
无线电 | 9332篇 |
出版年
2024年 | 31篇 |
2023年 | 158篇 |
2022年 | 185篇 |
2021年 | 199篇 |
2020年 | 103篇 |
2019年 | 173篇 |
2018年 | 88篇 |
2017年 | 130篇 |
2016年 | 143篇 |
2015年 | 193篇 |
2014年 | 451篇 |
2013年 | 322篇 |
2012年 | 495篇 |
2011年 | 502篇 |
2010年 | 503篇 |
2009年 | 648篇 |
2008年 | 799篇 |
2007年 | 610篇 |
2006年 | 653篇 |
2005年 | 670篇 |
2004年 | 462篇 |
2003年 | 591篇 |
2002年 | 353篇 |
2001年 | 330篇 |
2000年 | 222篇 |
1999年 | 190篇 |
1998年 | 204篇 |
1997年 | 181篇 |
1996年 | 196篇 |
1995年 | 234篇 |
1994年 | 184篇 |
1993年 | 205篇 |
1992年 | 211篇 |
1991年 | 237篇 |
1990年 | 175篇 |
1989年 | 132篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 12篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1973年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 890 毫秒
181.
182.
杨帆 《电子工业专用设备》2003,32(5):34-35
“业精于专,方显卓越”微雕大师如是说。当前,许多晶圆代工厂以200mm、0.18μm作为半导体集成电路的主要技术及产品提供给市场,有的晶圆代工厂200mm、0.18μm产品已达到60%。但是为了抢占市场的至高点,目前相当部分的芯片制造商目前正在把0.18μm工艺提升到0.13μm,随着芯片制造工艺技术的提高,对离子注入机的技术要求也越来越高。记:姜总,维利安半导体设备公司作为一家在离子注入机领域享有很高知名度的半导体设备供应商,您能否简单地给我们介绍一下?姜:维利安半导体设备公司(纳斯达克简称:VSEA)是一家全球性的跨国高科技公司,总部位于美… 相似文献
183.
查健江 《光纤与电缆及其应用技术》2004,1(4):14-19
人们对光纤生产过程中外汽相沉积(OVD)工艺的沉积机理的研究已经有好多年,但实际生产过程中,很多因素都会影响沉积速率和效率。为此我们通过试验,研究了决定沉积速率和沉积效率的主要因素,如预制棒表面温度、SiCl4流量和SiO2颗粒的温度等。 相似文献
184.
选择性激光烧结技术(Selective Laser Sintering,SLS)是采用红外激光烧结粉末状材料成形的一种快速成型技术。其基于分层制造的崭新思想,在复杂零件的整体成型和结构组织的连续性方面具有独到的优点,从而可以最为有效地与传统地树脂砂造型工艺相结合,实现了无模型精密铸型的快速制造,其工艺流程图见图1。该工艺实现了CAD模型直接驱动下的铸型一体化制造,型芯同时成形,可方便地制造含自由曲面的铸型和混合零件等。突破了传统工艺的许多约束,具有较高的柔性,尤其适合于制造单件小批量的大中型铸件。 相似文献
185.
非晶态镍钨合金由于具有长程无序,短程有序,无晶界、无位错,而具有极为优异的化学、物理和机械性能。非晶态镍钨合金镀层的结构致密,硬度高,耐热性好,尤其在高温下耐磨损、抗氧化,更能显示出其优良的自润滑和耐蚀性能。 相似文献
186.
187.
为了满足“神光”-Ⅲ装置对大批量大口径光学元件的需求,解决加工精度以及加工效率等方面的问题,对计算机控制光学表面成型技术(CCOS)进行了多方面的研究。在对平面数控软件进行了深入的研究工作后,结合高精度干涉检测手段,对数控工艺软件进行了大幅的改进。 相似文献
188.
DaXinSHI YaQingFENG ShunHeZHONG 《中国化学快报》2005,16(5):685-687
Photoinduced synthesis of CO2 and CH4 was investigated using a batch reaction system on several photoactive materials supported on silicon dioxide. Single semiconductor showed higher selectivity to C1 compounds. The production of C2-C3 oxygenates took place preferentially on composite semiconductor photocatalysts. In particular, it was found that acetone was the primary product over Cu/CdS-TiO2/SiO2. 相似文献
189.
介绍了采用不同材料类型的粘结膜、半固化片、所需设备和粘结材料,用于生产低到高层数的PTFE多层板的情况。 相似文献
190.
弱刚度件通过加固装夹可以提高刚度,实现其少无变形装夹;薄球壳利用加固装夹方法可以解决加工变形问题。 相似文献