砷化镓计算机技术（二）

本文介绍了GaAs计算机设计中的几个问题，指出了整体化设计方法（Wholistic design)的光辉前景。并对砷化镓计算机技术的发展趋势作了预测。     

国外半导体发展的一些动向

近年来,国际半导体行业竞争剧烈,继美、日、西欧之后,一些国家和地区例如南朝鲜、台湾等纷纷崛起,力图挤入国际市场,倾销半导体产品。此外,由于受到全球性经济衰退的影响,半导体工业不景气的局面有所持续。以具有代表性的、被誉为“技术先驱”的产品——4兆位DRAM市场情况来看,1988年     

一种新型高温聚合物多层电容器

本文介绍了以聚丙烯酸酯作介质,采用连续高速真空工艺所生产的聚合物多层电容器(PML)的材料、工艺及性能。该电容器在300℃以上仍具有热稳定性,薄膜无气孔,具有稳定的电气性能。其薄膜厚度在0.3和1.0μm之间,层数为1000～5000层之间。电容器具有高比容,且适宜表面安装。     

河东企业中标深圳电视中心工程

正在建设中的深圳电视中心工程，是深圳市四大文化重点项目之一，位于深圳市中心区，占地面积20132m^2拥有先进的电视工艺系统，计算机网络系统，自动化播出系统、通讯系统编辑系统以及办公自动化系统，是一个高智能型的电视中心。将于2003年年底正式启用。     

荧光滤光片的设计与制备

主要叙述了目前在国内外汽车修理行业正广泛使用的汽车油箱捡漏装置中的重要光学元件——荧光滤光片的设计与制造，并对此光学元件使用原理和捡漏装置的应用进行了基本的介绍。     

投影显示用LCoS显示芯片设计

首先确定了三片式投影用硅基液晶(LCoS)显示器应具备的显示性能参数,进一步提出LCoS显示芯片器件物理结构及其电路组成框图。从芯片整体角度介绍了设计方法,详述了运用CadenceEDA工具设计LCoS显示芯片的具体策略和相应步骤,给出了LCoS显示芯片的实际设计版图。     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

缺陷问题驱动浸没光刻技术发展

涂层的应用导致晶圆上缺陷的增加或者使光刻表现发生变化虽然现在推测浸没光刻技术的量产时间还太早,但是许多公司正在努力确定生产线何时能从干法工艺跃为湿法工艺。根据最近在San Jose举办的