"中芯国际"的发展道路--"中芯国际的发展模式应该是我国集成电路企业发展的样板."

今年9月25日,中芯国际建于北京的第四厂,即第一条12英寸晶圆加工线建成投产并进入正式运营阶段.     

丝网印刷过程的优化策略

设计可靠而稳定的制造过程需要找出并控制所有影响最终产品的变数。导致产品出现缺陷的每个问题都与工艺、设备或设置有关。确定工艺敏感设备如SMT生产线中网板印刷机等所造成缺陷的原因并非易事。造成缺陷的原因是工艺参数失控,或设备故障,还是工艺参数的改变?如何能迅速发现缺陷原因以最大限度地减少生产停机时间? 这就需要创建验证过程,以监控设备、工艺及产品设置。通过验证过程,用户可以快速隔离并解决生产问题,有时甚至可以在出现问题之前即消除隐患。     

芯原发布针对中芯国际0．15μm（G／LV）工艺技术的标准单元库

业界领先的系统级芯片智能模块供应商芯原微电子，10月10日正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)0．15μm一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library)，输入/输出单元库(I／O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dualport SRAM)的存储器编译器，     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。     

2048像素LED平板显示器件的封装

介绍了一种2048像素(64×32元)元LED平板显示器件封装结构的设计及其关键封装工序工艺条件的确定,并针对封装工艺难点提出解决措施。     

化学镀工艺在微电子材料中的研究和应用

简要综述了化学镀工艺在微电子材料中的应用,讨论了影响化学镀镍、铜、锡、钴和贵金属等的主要因素,阐述了化学镀微电子材料的特性、存在问题及研究动态。     

浆纱工艺的优化和控制

应用微机现场检测、显示、采集浆纱生产过程工艺参数，采用ＳＮ比正交试验优化浆纱工艺，并对最佳工艺实施控制和生产工序进行科学管理，从而提高布机织造质量和效率，取得显著经济效益。     

砷化镓计算机技术（二）

本文介绍了GaAs计算机设计中的几个问题，指出了整体化设计方法（Wholistic design)的光辉前景。并对砷化镓计算机技术的发展趋势作了预测。