一种新型高温聚合物多层电容器

本文介绍了以聚丙烯酸酯作介质,采用连续高速真空工艺所生产的聚合物多层电容器(PML)的材料、工艺及性能。该电容器在300℃以上仍具有热稳定性,薄膜无气孔,具有稳定的电气性能。其薄膜厚度在0.3和1.0μm之间,层数为1000～5000层之间。电容器具有高比容,且适宜表面安装。     

河东企业中标深圳电视中心工程

正在建设中的深圳电视中心工程，是深圳市四大文化重点项目之一，位于深圳市中心区，占地面积20132m^2拥有先进的电视工艺系统，计算机网络系统，自动化播出系统、通讯系统编辑系统以及办公自动化系统，是一个高智能型的电视中心。将于2003年年底正式启用。     

荧光滤光片的设计与制备

主要叙述了目前在国内外汽车修理行业正广泛使用的汽车油箱捡漏装置中的重要光学元件——荧光滤光片的设计与制造，并对此光学元件使用原理和捡漏装置的应用进行了基本的介绍。     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

缺陷问题驱动浸没光刻技术发展

涂层的应用导致晶圆上缺陷的增加或者使光刻表现发生变化虽然现在推测浸没光刻技术的量产时间还太早,但是许多公司正在努力确定生产线何时能从干法工艺跃为湿法工艺。根据最近在San Jose举办的     

业精于专 方显卓越——访维利安半导体设备(上海)有限公司销售总监姜至善

“业精于专,方显卓越”微雕大师如是说。当前,许多晶圆代工厂以200mm、0.18μm作为半导体集成电路的主要技术及产品提供给市场,有的晶圆代工厂200mm、0.18μm产品已达到60%。但是为了抢占市场的至高点,目前相当部分的芯片制造商目前正在把0.18μm工艺提升到0.13μm,随着芯片制造工艺技术的提高,对离子注入机的技术要求也越来越高。记:姜总,维利安半导体设备公司作为一家在离子注入机领域享有很高知名度的半导体设备供应商,您能否简单地给我们介绍一下?姜:维利安半导体设备公司(纳斯达克简称:VSEA)是一家全球性的跨国高科技公司,总部位于美…     

光纤制备中的外汽相沉积工艺研究

人们对光纤生产过程中外汽相沉积(OVD)工艺的沉积机理的研究已经有好多年，但实际生产过程中，很多因素都会影响沉积速率和效率。为此我们通过试验，研究了决定沉积速率和沉积效率的主要因素，如预制棒表面温度、SiCl4流量和SiO2颗粒的温度等。     

基于选择性激光烧结成型的无模具快速精铸工艺

选择性激光烧结技术(Selective Laser Sintering，SLS)是采用红外激光烧结粉末状材料成形的一种快速成型技术。其基于分层制造的崭新思想，在复杂零件的整体成型和结构组织的连续性方面具有独到的优点，从而可以最为有效地与传统地树脂砂造型工艺相结合，实现了无模型精密铸型的快速制造，其工艺流程图见图1。该工艺实现了CAD模型直接驱动下的铸型一体化制造，型芯同时成形，可方便地制造含自由曲面的铸型和混合零件等。突破了传统工艺的许多约束，具有较高的柔性，尤其适合于制造单件小批量的大中型铸件。