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通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析，认为选择单节的四路ＭＵＸ和ＤＭＵＸ，结合通常为２－３微米双极高速工艺，比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的４∶１ＭＵＸ和１∶４ＤＭＵＸＪ模拟验证，用２微米高速双极工艺研制已具有初步功能。 相似文献
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日本三菱电气公司新近开发了 a-Si TFT 的新工艺,为实现高性能 TFT LCD 创造了条件。下面作一介绍。1.制作工艺(1)TFT 结构TFTs 具有反相交错结构,图1为a-Si TFT 的剖面图。TFT 的 W/L 比为12μm/12μm。TFT LCD 的象素节距是318μm(V)×106μm(H),开口率为60%。 相似文献
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轴端沟槽底部激光强化工艺参数优化研究 总被引：1，自引：1，他引：0
分析了选用不同激光能量密度对HT300进行表面强化处理时，材料表面呈现的四种状况；未相变硬化、相变硬化、表面微熔与表面熔凝的金相组织。根据工艺要求，选取相变硬化方法对轴端沟槽底表面进行处理。分析了工件激光处理方法并通过试验研究，寻找轴端沟槽底部激光强化工艺参数；激光功率（P）、光斑直径（D）及扫描速度（V）的优化组合。硬度测试及耐磨性能试验表明：激光相变处理和激光熔凝处理后轴端沟槽底部表面较表面感应淬火硬度分别提高7%和34%，绝对磨损体积分别下降了13%和25%。实践证实，对轴端沟槽底部激光相变硬化处理方法较其他表面处理方法工艺简单，加工工件符合技术要求，试验结果对零件表面处理提供了可靠依据。 相似文献
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目前,像影碟机、录像机、微型计算机、手持电话和程控交换机等电子整机产品电路板的装组工作都是在SMT生产线上完成的。就是在这工作有序整洁的环境中,隐藏着一种对这些电子整机产品有严重伤害的凶恶杀手——静电。 静电电荷的产生是不可避免的,像物体间的相互摩擦、运动,两种材料在分开时,或者液体和气体的流动 相似文献