1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

多芯片组件光互连的实现途径

着重讨论光互连技术在多芯片组件中的潜在应用。分析结果表明光互连技术在多芯片组件中应用应包括：组件的输入、输出、时钟分布以及内部芯片间互连等。     

流延法制作AlN陶瓷基片工艺

研究出一种用流延法制作ＡＩＮ陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的ＡＩＮ基片。经１６５０℃，保温２ｈ无压烧结制得的基片，其热导率达１３０Ｗ／（ｍ·Ｋ）、密度为３．３４ｇ／ｃｍ￣３，表面光滑平整，瓷体结构均匀，性能达到用干压法制备的同类基片的性能。     

等离子氨化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。     

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

介绍了国产ＨＶＭ３５０９微波炉专用硅堆的工艺特点和关键设计制造工艺。该产品具有体积小、电流大、压降低、漏电流小和可靠性高等独特优点。研制结果表明：该产品已达到日本ＨＶＭ３５０９同类产品标准。