腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

电磁耦合叠层矩形贴片天线的研究

介绍了由同轴探针馈电的电磁耦合多层重叠贴片天线的分析方法。分析以电场积分方程为基础，为解此方程，在频谱落款畴内采用加略金法。该分析方法用于研究一个两层重叠矩形片天线的特性。同时介绍了衬底材料，贴片尺寸，贴片移动以及天线罩对输入阻抗或者辐射方向图的影响。     

波束扫描合成孔径雷达成像处理

本文主要研究了滤束扫描合成孔径雷达的杨像处理方法，分析了ＳＣＡＮＳＡＲ的工作原理、信号格式、信号结构和信号参数限制，成像处理算法包括块数据成像算法和块图像拼接算法两部分，频谱分析法和时域频域混合相关法被用于数据成像，块图像的拼接是利用时间有系剪裁块图像再顺次拼接，计算机仿真验证了本文提出的ＳＣＡＮＳＡＲ信号格式和成像算法的可行性。     

首次测定短寿命缺中子同位素153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图

利用¹⁶O重离子束轰击¹⁴²Nd和¹⁴⁷Sm同位素靶分别生成¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb的EC/β⁺衰变纲图.从中指认出¹⁵³Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出¹⁵⁷Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间.     

萃取色谱法富集原子吸收法测定环境水中超痕量金属元素──两种萃取剂的比较

本文研究并比较了分别以８－羟基喹啉和巯基苯骈噻唑为萃取剂，以活性硅胶为载体的柱式萃取色谱法对环境水中Ｚｎ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ和Ｍｎ的最佳富集和洗脱条件。实验证明，后者明显优于前者。以巯基苯骈噻唑为萃取剂的色谱柱对金属元素的吸附具有快速、完全、寿命长和重现性好等特点。在ｐＨ＝７～８之间回收率可达９８％以上，富集倍数为２００倍。     

钾蒸汽中由能量积聚效应产生的分子扩散带受激辐射

本文报道了在K2－K混合系统中由单光子共振激发原子于4P能级，通过4P原子的能量积聚效应及原子──分子的碰撞能量转移过程使分子在高位三重态获得布居，从而产生的扩散带受激辐射．至今已经发现了多种产生分子扩散带的机制．在钠分于中，由单光子或双光子激发销原子于3P能级或4D（或4F）能级，以及在宽波段范围内由可调谐激光双光子激发钠分子获得了紫区430．0nm附近的扩散带受激辐射以及360.0nm附近的扩散带受激辐射；对于锂分子，以双光子共振激发锂原子4S能级，产生蓝区扩散带受激辐射，以紫外单光子激发锂分子态或光-光双共振激发…     

生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应     

分析卤化银微晶的EDS方法探讨

本文探讨了用Ｘ射线能谱仪（ＥＤＳ）分析卤化银微晶的空间分辨率和吸收修正问题。对ＳＥＭ－ＥＤＳ和ＳＴＥＭ－ＥＤＳ两种不同分析模式的空间分辨率进行计算，表明ＳＴＥＭ－ＥＤＳ是研究单个卤化银微晶内碘的含量及分布的有效方法。并对定量分析数据和吸收修正参数进行了讨论，结果证明微晶不同区域厚度的差异，对碘含量的定量测定的影响可以忽略。     

带平台多阶振幅量化的低副瓣口径分布

本文提出了一种带平台多阶振幅量化的低副瓣口径设计方法并论述了其分析方法和计算公式，给出了本文算法与作者（１９９３）提出的“多阶振幅量化方法”在峰值副瓣电平、口径效率、归一化输入功率以及具有容差情况下的副瓣亚化等的计算比较结果，结果表明，在相同的条件下，本文提出的方法优于“多阶振幅量化方法”。