带跳的非线性随机微分方程的Lyapunov指数的估计

本文研究了带跳的非线性随机微分方程Lyapunov指数的估计,在适当的条件下,确定其Lyapunov指数q的值．对于给定的步长h,考虑此微分系统的Euler离散化模型,给出了的理论误差估计.     

半导体长波长异质结构材料光压谱测试探讨

本文介绍了ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等的光压港（ＰＶＳ）。并把ＩｎＧａＡｓＰ（在特定组份下）的ＰＶＳ与ＦＦＴ—ＰＬ谱进行了比较；分析和讨论了ＰＶＳ测试的局限性和复杂性；指出了对多层异质结构材料，只有把器件结构、外延工艺、ＥＣＶ测试等结合起来，才可能正确地理解ＰＶＳ给出的测试结果。     

用稳态反饱和吸收法测量C_（60）的激发态吸收截面

用准连续激光实现了Ｃ６０的稳态反饱和吸收，通过实验和理论计算的拟合，确定了Ｃ６０的三重第一激发态吸收截面。     

Resonant Optical Absorption in Semiconductor Quantum Wells

We have calculated the intraband photon absorption coefficients of hot two-dimensional electrons interacting with polar-optical phonon modes in quantum wells. The dependence of the photon absorption coefficients on the photon wavelength λ is obtained both by using the quantum mechanical theory and by the balance-equation theory. It is found that the photon absorption spectrum displays a local resonant maximum, corresponding to LO energy, and the absorption peak vanishes with increasing the electronic temperature.     

126Cs的高自旋态能级结构

利用融合蒸发反应¹¹⁶Cd(¹⁴N,4n)¹²⁶Cs布居了¹²⁶Cs的高自旋态.观测到了100多条新的γ跃迁和相应的能级,建立了双奇核¹²⁶Cs由9个转动带构成的能级纲图.尝试性地指定了大部分能级的自旋和宇称以及各转动带的Nilsson单粒子组态.极大地丰富了已有的实验结果.     

带间耦合多有源区大功率980nm半导体激光器

提出利用隧道结实现带间耦合再生多有源区大光腔大功率的半导体激光器。该激光器能够在小的电流下输出大的光功率；同时可以使出光端面成倍增加，减少了端面光密度，克服端面灾变性毁坏（COD）。由于耦合形成大光腔，提高了光输出的质量。制备4个有源区带间耦合大功率980nm半导体激光器。在2A注入电流下输出功率5W，阈值电流172mA，斜率效率3.24w/a，阈值电流密度273A/cm^2。     

基于片上DC-DC的CMOS光接收机前置放大器

利用CSMC 0.6μm CMOS工艺,设计了基于片上DC-DC转换器的光接收机前置放大器。电路采用可调跨阻放大器与片上DC-DC结构,有效地克服了单端跨阻放大器易受电源波动的干扰,并解决了高灵敏度与低失真相互矛盾的问题。模拟结果表明,输入动态范围为83 dB(峰-峰值=0.2μA~3 mA),等效输入电流噪声为1.2 pA/Hz(155 MHz),可稳定工作在155 Mb/s速率上;在5 V电源电压下,功耗为95 mW。     

频域吸收边界条件的构造理论

在频域中推导了适用于差分类数值方法的吸收边界条件的构造方法，并通过选取不同参数导出了几种现有的吸收边界条件。在计算了一般形式的吸收边界条件的反射系数之后，提出了一种简单实用的自适应吸收边界条件。     

三维内肋管内插入螺旋扭带的强化传热实验

本文分别以水和乙二醇为工质，在Ｒｅ数范围为：６００～４００００，Ｐｒ数范围为：５．５～１１０之间，对四根分别插入三种不同扭率螺旋扭带的三维内助管内的换热和流阻特性进行了实验研究。结果表明：三维内肋管内加装扭带的强化传热技术适用于低Ｒｅ数下高Ｐｒ数工质的管内对流换热强化。根据实验值得到了流阻和换热关联式。