正则带的半格结构

Petrich解决了一般带的构造定理（见[1]或[2]），在此基础上，我们将证明正则带（满足等式axya=axaya的带）的一些特征，并给出一个带为正则带或右似正规带（满足等式xya=xaya的带）的充分必要条件，这些结果是Yamada和Kimura的关于正规带（满足等式axya=ayxa的带）的结果的推广，正规带被他们描述为矩形带的强半格（见[1]或[3]）。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

0.351μm激光辐照Au盘靶吸收、散射规律的实验研究

在“星光Ⅱ”激光装置上，利用80只分立式探测器研究了约0.8ns，0.351μm激光辐照Au盘靶的吸收、散射．结果表明，强度约为5×10¹⁴W/cm²的激光以10°角入射，吸收可达90%以上；但是，以45°角入射，吸收仅为75%左右，散射高达25%．散射主要来自未被等离子体充分吸收的激光在弯曲临界面上的反射，同时伴随少量受激布里渊散射．吸收的理论计算与实验结果进行了比较，两者符合较好． 关键词：     

声流现象的研究及其应用

本文从声流产生的机理出发，综合了影响声流的诸因素，介绍了声流现象的检测方法及声流效应的应用。     

特殊音频盒式校准带（一）：扫描型频响校准带

一、概述 TCC系列音频盒式校准带中,B系列和C系列扫描型频响校准带系采用微机控制,按独特的扫描方式录制生产,符合IEC(国际电工委员会)标准的一种新型频响带。由于采用连续扫描信号,故测试时需配用电平记录仪,其型号可采用丹麦B&K公司2305,2307和日本LEADER公司LFR—5600型,其中C系列还可与频响记     

GaAs半导体中三光子吸收的非线性光电导测量

采用非线性光电导技术测量2.06μm激光激发的GaAs本征半导体三光子吸收,观察到三光子和单光子吸收的混合光电导,测得了三光子吸收系数.测量结果与理论计算符合较好.     

重建吸收介质参数(ρ(3),α(3))(英)

本文考虑重建吸收介质的密度ρ（3）和吸收系数α（3）的双参数反演问题。通过波动方程特征积分的方法并引人辅助函数，我们得到了原反问题的一个等价的封闭的积分方程组。利用本文的反演方法，ρ（3）tα（3）可以由反射数据f（t）和透射数据g（t）在深度变量子下同时恢复出来。     

晶体中离子质量差异与激活离子光谱线热加宽和热位移

证明了基质晶体离子的质量差异对其中的激活离子光谱线的热加宽和热位移有贡献，对于单声子吸收或发射机制产生的热加宽和热位移而言，其贡献可以用一个乘积因子D^2表示，对于喇曼散射机制引起的热加宽，其贡献可以用乘积因子D^4表示，文中分别给出两种离子组成的晶体和三种离子组成的晶体的D的表示式。