一种TDMA体制数据链系统虚实联合仿真系统时间同步方案

仿真技术在数据链系统全生命周期研究中发挥重要作用。针对时分多址(TDMA)体制数据链系统虚实联合仿真系统对时间同步的需求,基于硬件时钟同步与软件时钟同步相结合的思想,设计了一种TDMA体制数据链系统虚实联合仿真系统时间同步方案,为虚实联合仿真系统所有成员提供一致的时间基础。并在实验室搭建了原型系统对提出的时间同步方案进行验证,实验结果证明本方案有效可行,并具备高精度、低代价等优势。     

《中国信息界》杂志征稿启事

关于我们《中国信息界》杂志创刊于2002年,是由国家发展和改革委员会主管,国家信息中心支持,中国信息协会主办的国家级权威期刊。国内统一连续出版物号:CN11-4721/TN,国际标准连续出版物号:ISSN 1671-3370,双月刊,精美印刷,双月月底出版,国内外公开发行。《中国信息界》杂志以“宣传信息化、推进信息化、服务信息化”为宗旨,以“专业性、前瞻性、独到性”为鲜明特征,重点反映新四化同步建设大背景下我国数字经济、数字政府、数字社会、数字文化等方面发展的进程及主要成果。     

基于Zadoff-Chu序列的OFDM精确定时同步算法

针对OFDM系统在多径衰落环境下通过能量大小定时而产生定时误差的问题,文中提出了一种基于Zadoff-Chu序列的第一径检测算法,利用序列相关性得到信道冲激响应估计值,此外分析了残留频偏对定时同步的影响,并通过改进自适应门限抑制残留频偏来判定准确定时位置。算法在时域完成,实现简单且运算量小。通过仿真对比其他算法可以看出,文中所提算法在高速移动多径环境中第一径检测概率高、均方误差小,特别是低信噪比下仍能准确同步。     

基于三层C/S模式的嵌入式系统交互设计

针对现阶段嵌入式系统的运行需求,提出基于三层C/S模式的嵌入式系统交互设计.在原嵌入式系统的基础上,应用三层C/S模式优化其逻辑结构.在嵌入式系统的前台界面中加入交互模块环境,并通过多线程同步交互、语音通信交互以及文字信息交互三个步骤,完成对系统后台程序的改写,从而实现嵌入式系统的交互功能.为了检测交互设计结果的功能设...     

时变大气层效应对地球同步轨道SAR成像影响的分析与补偿

大气层效应会导致穿过其中的星载SAR信号产生相位误差,并进而可能造成星载SAR成像结果出现散焦现象。大气层效应包括背景电离层效应、电离层多重散射效应以及对流层效应,由于GEO SAR合成孔径时间可达几百秒量级,因此在其成像积累时间内大气层效应会随时间变化,因此必须考虑时变大气层效应对GEO SAR成像的影响,同时亟需研究时变大气层效应对GEO SAR成像影响的补偿方法。本文详细分析了时变大气层效应对SAR信号的影响机理,建立了时变大气层效应影响下的高精度GEO SAR回波信号模型,分析了时变大气层效应对GEO SAR成像的影响,并基于方位向子孔径划分,通过提取时变大气层相位误差,对大气层效应造成的GEO SAR图像散焦现象进行了补偿。      

分布式声传感器阵列校准方法综述

分布式声传感器阵列在军事侦察、公共安全监控和人机交互等领域应用广泛.但时钟异步、频率响应失配和节点位置未知问题严重影响后续基于分布式声传感器阵列的语音处理算法的性能,因此近年来学者们热衷于研究校准这三类阵列失配问题的方法.首先,本文介绍了导致分布式声传感器网络各类失配问题的原因和三类问题解决的先后顺序.然后,将现有的解...     

设计要点

LT8610和LT8611是42V、2.5A同步降压型稳压器,可满足汽车、工业和通信应用严格的高输入电压及低输出电压要求。为尽量减少外部组件并压缩解决方案尺寸,上管和下管电源开关集成在一种同步稳压器拓扑中,包括了内部补偿功能电路。     

一种基于二次扩频的贞同步提取的FPGA实现

本文介绍了一种利用扩频技术实现帧同步的方案，重点介绍了用补码配对相减匹配滤波法实现同步提取的原理及其FPGA设计实现，并在同步提取的基础上简要叙述了帧同步信号的抵消。     

突发OFDM系统中同步算法的FPGA实现

根据突发OFDM系统的特点,提出了一种具有实用价值的同步实现方法。具体分析了突发OFDM系统中利用PN序列联合实现符号定时同步和小数频偏同步的算法,并阐述基于FPGA的实现过程。由Verilog HDL语言描述的同步模块由复数乘法模块,求和累加模块,比较判断模块和CORDIC模块等构成。系统采用Xilinx ISE 10.1来完成开发,同时给出了其在ModelSim SE 6.2b下的仿真结果,结果表明该方案是完全可行的。     

多晶硅、单晶硅同步外延研究

介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延.采用两步外延工艺,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响.硅烷流量大、初始诱生时间短,则单晶硅条宽,多晶硅横向蔓延弱,但外延层质量可能较差.较优的条件是:硅烷诱生生长流量为13.1～17.5sccm,正常生长流量为7.0～7.88sccm,初始诱生时间为30～50s.温度影响较复杂,当温度低于980℃时,单晶硅条宽随温度增加而增加,在980℃附近达到最大,随后随温度增加单晶条宽降低.