UWB天线的宽带化技术及其发展

在现代通信技术中,为了实现通信保密、排除干扰、提高通信效率等,超宽带系统得到了大力发展,然而,在一定程度上却受制于系统中超宽带天线的阻抗带宽。详细介绍了展宽天线阻抗带宽的4种方法,包括渐变阻抗方法、分形几何方法、微带天线开槽方法和非频变结构方法,其中分形几何方法由于其几何结构的自相似性使得其贴片电流分布具有自相似性,从而导致天线的多频点谐振,有效拓展了天线带宽。上述4种天线尽管作用原理互不相同,但在超宽带天线的工程应用中,研究者可将这些方法单独或同时应用于天线结构设计,使得天线既能保持良好的方向性和增益等性能,又能获得较大带宽。     

基于DDFS的程控音频仪器测试信号源设计

文中介绍一种基于DDFS(直接频率合成)技术的可编程音频仪器测试信号源设计。该系统采用单片机作为控制器,以FPGA(现场可编程门阵列)作为信号源的主要平台,利用DDFS技术产生一个按指数衰减的频率可调正弦衰减信号。测试结果表明,该系统产生的信号其幅度可以按指数规律衰减;其频率可以在1～4 KHz频率范围内按1 Hz步长步进。可以方便的用于测试音频仪器设备的放大和滤波性能。     

一种6~18 GHz宽带高精度有源移相器

设计了一种6 bit 6~18 GHz工作频段的宽带高精度有源移相器。片上集成了输入无源巴伦、逻辑编码器、RC多相滤波器、矢量合成单元、数控单元等。该移相器的设计采用55 nm CMOS工艺实现,芯片尺寸为1.29 mm×0.9 mm,移相器核心尺寸为1.02 mm×0.58 mm。后仿结果表明,在6~18 GHz频率范围内,增益误差RMS值小于1 dB,相位误差RMS值小于0.75°,输入回波损耗、输出回波损耗分别小于-8.5 dB、-8.9 dB,芯片总功耗为20.7 mW。该6 bit移相器的相对带宽为100%,覆盖C、X和Ku波段,适用于雷达探测等领域。     

角锥棱镜相干合成激光器的自适应驱动方法

针对高功率激光器合成效率低、能量不集中的问题,构建基于角锥棱镜腔的相干合成激光器,分析远场合成效率不高的原因,提出光—电闭环的自适应驱动方法,通过反馈调节,克服因线路、器件以及其他电磁干扰等因素造成的不同步问题,提高相干合成效率。实验结果表明,经过自适应驱动的激光器,能显著提高相干合成效率,避免人工调整参数带来的误差,提高了激光器的稳定性和工作效率。     

一种战术通信数据组播实现方法

在战术通信系统中,一发多收的组播业务的应用越来越广泛。战术通信中的组播业务往往要求具备高适变性和高实时性,而民用网络中的IP组播、应用层组播均存在一定局限性,无法满足这些要求。针对这个问题,通过对现有IP组播和应用层组播技术特点和不足进行分析,提出了一种基于自定义协议和名址分离的战术通信数据组播设计与实现方案,可以很好地应对战术通信系统的高实时性、低带宽、高动态等特性需求。试验验证了此方案下组播业务需求的满足情况,测试结果表明,所提出的方案可有效提高组播数据在战术通信系统中的传输效率,为战术通信系统的通用组播方案设计提供了参考。     

变形矩形和V形微屏蔽线传输特性的矢量有限元计算

微屏蔽线在使用过程中难免会产生变形。本文利用矢量有限元法讨论了矩形微屏蔽线和V形微屏蔽线的变形对其传输特性的影响,其中传输特性包括主模截止波长、单模带宽和主模电场结构。计算结果显示,两种微屏蔽线的变形对三种传输特性均有较大影响,这些数值计算结果对两种微屏蔽线在使用过程中出现变形时对整体器件的影响有较强的指导意义。     

一个优化的IPTV系统QoS实现构架研究

由于TV业务往往具有较高的并发用户数，并且对网络的传输带宽及QoS保证能力提出了较高的要求，在IP网络开展视频业务将导致三类主要的问题：（1）IP网络传输的QoS保证问题：（2）流媒体服务器I／O能力保证问题：（3）接入带宽的保证问题。IPTV QoS，也就是给用户提供连续和失真较小的视频流。     

NS推出高功率密度超小型封装降压稳压器

目前，德州仪器（TI）宣布推出一款高精度运算放大器，该器件采用创新的零交越失真、单输入架构，从而实现了无跳变轨至轨性能。OPA365具有超低失真（仅为0．0006％THD＋N）、极低噪声（仅为4．5nV／rtHz）以及50MHz增益带宽，因而理想地适用于多种设计中的单电源应用，其中包括便携式仪表、数据采集、检试测量、音频以及便携式医疗系统等。     

固相反应和离子注入制备硅化镍薄膜

采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征.结果表明固相反应方法中,硅化镍薄膜的相结构取决于不同的热退火条件,纯相的NiSi2薄膜需要在高温(1123K)下两步热退火才能获得.而利用离子注入方法,则可以在较低温度(523K)下直接得到单相的NiSi2薄膜.在30～400 K范围内测量了它们的电阻率和霍尔迁移率随温度的变化关系,结果表明固相反应制备的NiSi和NiSi2薄膜都表现出典型的金属性电导行为,而离子注入制备的NiSi2薄膜则表现出完全不同的电学性质.     

复合环形腔被动相干合成技术重要特性研究

复合环形腔被动相干合成技术是提高激光功率并保持良好光束质量的有效手段。本课题组对该技术进行了理论和实验研究,其中主要研究分析了基于光纤激光阵列的复合环形腔被动相干合成技术的路数扩展特性、抗相位扰动特性、偏振选择特性、脉冲合成特性以及光束拼接技术。详细报道了相关研究结果并总结分析了该技术方案的发展趋势。