Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的{111}织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661.7MPa。     

热电Ca3Co4O9薄膜的一致取向生长及其激光感生电压效应

利用脉冲激光沉积(PLD)法,在蓝宝石(0001)平衬底上成功制备了c轴一致取向的Ca3Co4O9薄膜。利用X射线衍射(XRD)分析测定了薄膜的相结构和生长取向。研究了不同衬底温度与不同原位氧压对Ca3Co4O9薄膜结晶质量与生长取向的影响,确定了最佳生长条件。利用这一条件在倾斜Al2O3(0001)衬底上制备了Ca3Co4O9薄膜。研究发现,当Ca3Co4O9薄膜被波长248nm,脉冲宽度20ns的脉冲激光照射时,在薄膜两端存在较大的激光感生热电电压(LITV)信号,峰值电压达到4.4V,其上升沿为36ns,半峰全宽(FWHM)为131ns。可以认为这种激光感生热电电压信号是由于Ca3Co4O9薄膜面内与面间泽贝克(Seebeck)系数张量的各向异性引起的。     

二维小波收缩与各向异性扩散等价性框架及在图像去噪中的应用

图像去噪是图像处理中的一种重要技术。小波收缩根据噪声的小波系数幅值较小的特征通过收缩达到去噪目的。各向异性扩散在尽可能保持图像特征的同时,根据梯度方向及幅值去噪。该文首先证明二维小波收缩与各向异性扩散的等价性框架,对等价性给予验证,进而根据等价性提出综合利用两种方法优势的各向异性小波收缩去噪算法。对比实验结果表明,此算法综合利用了小波收缩与各向异性扩散的优势,去噪效果更加理想。     

基于Schur-Hadamard积波束域传播因子的分布式信源参数联合估计

针对分布式信源阵元域参数估计算法在低信噪比时性能下降、计算量大的问题,提出了基于Schur-Hadamard积波束域传播因子的分布式信源参数联合估计算法.根据角度信号密度对称的约束条件,将分布式信源方向向量化简为点信源方向向赶与实矩阵的Sehur-Hadamard积,使其两个子矩阵满足传播因子的线性变换,进而将波束域传播因子方法用于分布式信源参数联合估计,降低了计算量.仿真实验验证了所提算法的有效性,与阵元域DSPE算法相比,基于Schur-Had-amard积的波束域传播因子算法具有更好的信噪比性能.     

硅基热电堆真空传感器的制造技术

发展了一种与CMOS工艺完全兼容并可在商业化的1.2μm标准CMOS生产流水线上进行流片的硅基热电堆真空传感器的制造技术与流程.传感器为悬浮的多层复合薄膜结构,其上制作了n型多晶硅加热器和20对由p型多晶硅条和铝条构成的热电堆.利用标准制造工艺中铝层图形的掩蔽作用,使用干法刻蚀工艺一方面去除了传感器表面的SiNx层,使复合介质薄膜减至三层介质,即场氧化层、硼磷硅玻璃和层间介质,从而提高了传感器响应率;另一方面去除了传感器区域内腐蚀孔中的多层介质,将其中的硅衬底裸露,以便完成后续的四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅各向异性腐蚀工艺,使传感器成为悬浮绝热结构,这种工艺具备铝保护性能,因此腐蚀中无需任何掩模.最终得到的器件尺寸为124 μm×100 μm,在空气压强为0.1 Pa～105 Pa之间的响应电压为26 mV～50 mV,响应时间为0.9 ms～1.3 ms.这种器件的制造技术具有工艺简单、成品率高、成本低、重复性好等特点.     

采用掺杂剂扩散共挤出法制造的高带宽渐变折射率塑料光纤

现在,拥有像高清晰度电影一样大量信息的用户数量正在迅速增加。人们已提出采用渐变折射率塑料光纤（GI—VOF）作为解决办法。然而,GI—POF的普通制造方法不适合批量生产。因此,日本的几位IEEE成员提出采用掺杂荆共挤出法来制造高带宽GI—POF。人们通常认为。采用这种方法在光纤聚合物材料中形成折射率分布的机理是具有恒定扩散系数的菲克扩散。因此。在纤芯一包层界面处有一个拖尾部。但与所预计的相反,他们成功地制造出几乎具有最佳折射率分布的GI—POF。通过试验和扩散模拟清楚地说明,采用这种方法制造的GI—POF的形成机理是扩散系数取决于掺杂荆浓度的菲克扩散。这些结果表明,采用掺杂荆扩散共挤出法极有可能制造出聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）一二苯基硫化物系统的高带宽光纤。     

第七代LDMOS新型基站晶体管

BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管基于NXP公司第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术,专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。与上一代产品相比,功率密度提高了20％,功率效率增长了两个百分点,而R th热阻则降低25％以上。第七代LDMOS的性能实现新的突破,达到3．8GHz,且输出电容减少25％,可实现宽频输出匹配,从而设计出更加简单、性能更好的Doherty放大器。     

非均匀网格GA-A3DI-FDTD法分析微波电路

研究了一种减小交替方向隐式时域有限差分法（ADI—FDTD,Alternating-Direction Implicit Finite-Difference Time-Domain）数值色散的新方法GA—A3DI—FDTD（Genetic Algorithm Artificial Anisotropy ADI-FDTD）及其在非均匀网格条件下的应用。首先对添加人工各向异性介质后的非均匀网格ADI—FDTD迭代公式进行修正,得到新的数值色散关系,再利用自适应遗传算法（AGA,adaptive genetic algorithm）得到需要添加的人工各向异性介质的相对介电常数。为了验证方法的正确性和有效性,对几种微波电路进行仿真,分别与传统ADI—FDTD相比较,并且比较对非均匀网格的不同处理方法对计算精度的影响。结果表明：通过正确选择目标函数,得到更加合适的人工各向异性介质,可以再减小三维ADI—FDTD数值色散。     

基于扩散机制的无线传感器网络时间同步协议

针对当前无线传感器网络时间同步协议普遍存在抗毁能力不足的缺陷,提出了一种基于扩散机制的无线传感器网络时间同步协议,全局时间通过邻居节点间定时随机交换时戳信息维护,取消同步发起节点在同步网络中可能带来的不安全隐患,实现同步网络拓扑最优.同时利用容错、时分等策略进一步提高同步网络的抗毁性能.通过对典型无线传感器节点的实际测试表明,该协议在抗毁能力、同步精度、可扩展能力等方面均取得了较好结果.