航天产品多源可靠性信息的收集与整理--建立可靠性信息数据库

航天产品可靠性信息的来源多样，可靠性信息的时间性、随机性、有价性、时效性和可追溯性等特征，决定了可靠性数据收集应满足真实性、连续性、完整性等基本要求。同时，对多源信息的收集应遵循先进行需求分析，再确定数据收集点并制定数据收集表格的程度进行。给出了信息的适用性准则和信息分类的三维模型。最后结合具体型号航天产品的可靠性工作的要求，给出了可靠性信息数据库系统的整体方案设计。     

柯伐镀金盖板电化学腐蚀的剖析及其防腐措施

对半导体器件封装的气密性失效进行了研究。发现，柯伐镀金盖板遭致电化学腐蚀是导致气密性失效的主要原因。对电解液的形成和电化学腐蚀机理进行了深入的分析。提出了防止腐蚀，提高器件气密可靠性的思路和方法。     

电子系统可靠性分析软件relcom

描述了可靠性分析中的一个软件ｒｅｌｃｏｍ，它克服了过去在估计系统可靠性软件当中只能针对某一单一模型的缺点。用户只需记住少数几个关键词，便可上机进行可靠性评估。本软件可在ＳＵＮ工作站上操作，以提高精确度，同时也可加快运算的速度。     

基于GA-BP神经网络的高质量配电网供电可靠性分析

阐述一种基于GA-BP神经网络的高质量配电网供电可靠性预测方法,筛选出若干项目指标作为输入样本,将逐项指标的历史数据归一化到同一数量级,通过GA-BP神经网络训练,探讨利用训练好的网络模型,预测目标年份的供电可靠性。     

低成本Si基GaN微电子学的新进展

进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。     

低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)

进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。     

考虑需求侧响应的综合能源系统可靠性评估

为了进一步激发综合能源系统的多能互补特性和挖掘需求侧可参与系统优化调度的调节潜力,提升综合能源系统的可靠性水平,提出一种考虑需求响应的综合能源系统可靠性评估方法。首先,根据负荷响应特性引入价格型和替代型两类需求响应,分别建立基于电价弹性矩阵的价格型需求响应模型,及考虑不同能源需求在同一时间点上相互转换的替代型需求响应模型;其次,建立以系统购买能源成本最小与负荷削减惩罚成本最小为目标的优化调度模型,并在Matlab平台上调用CPLEX进行求解;然后,基于时序蒙特卡洛模拟法获得各设备状态并设计出可靠性评估流程;最后,通过北方某工业园区综合能源系统进行算例分析,比较了系统在不同运行方式下的可靠性指标与经济性水平。算例仿真结果表明,引入价格型和替代型需求响应可协调优化各时段用能需求,能够有效提高综合能源系统的可靠性和经济性。     

基于故障模式影响分析方法的脉冲行波管可靠性研究

运用故障模式影响分析方法分析了某型号脉冲行波管的主要故障模式,针对此类故障模式采取了相应的改进措施,降低了产品主要故障出现概率,提高了脉冲行波管的可靠性,同时提升了真空电子器件的产品质量。