铂电极上异黄樟油和胡椒醛电氧化的SERS研究

采用循环伏安(CV)法和原位表面增强拉曼光谱(SERS)技术, 研究了非水体系中反应物异黄樟油和目标产物胡椒醛在粗糙铂电极上的电氧化行为, 发现胡椒醛在电位≥1.50 V时将进一步氧化, 而且从分子水平证实, 在胡椒醛的氧化电位(≥1.50 V) 下, 波长为632.8 nm的激光对胡椒醛的氧化有助催化作用. 由异黄樟油直接电氧化合成胡椒醛的电位(E)应控制在1.20 V相似文献   

动态单滴法研究乳状液液膜的稳定性

乳状液液膜作为化学分离的一种手段,自七十年代发现以来已有了许多进展,但是如何将其工业化还有许多课题有待于进一步研究.目前,除了乳状液液膜的水静态渗透性质以外,对乳状液液膜的稳定性和溶胀性质的研究主要采用搅拌法.虽然得到较好的规律性,但是搅拌法具有乳状液滴粒径分布广的弱点,对于不同的搅拌方式及条件,乳状液液膜的有效面积不同,对液膜作用的机械强度不同,因此结果会有很大差别.我们自行设计的动态单滴法实验装置,可定量地研究乳状液液膜的溶胀、稳定性及水渗透性质.     

表面起伏光栅形成速率的影响规律 Ⅰ.偶氮生色团种类和官能度的影响

设计并合成了含有不同生色团以及不同官能度的环氧树脂基偶氮高分子 ,系统研究了偶氮生色团的种类和官能度对光栅形成速率的影响规律 .实验结果表明 ,偶氮苯对位是羧基的聚合物的光栅形成速率明显快于偶氮苯对位是硝基的聚合物 ,光栅形成速率随偶氮生色团官能度的增加而加快 .这两类聚合物都可以形成规整的可擦式表面起伏光栅     

分散介质和表面活性剂对γ-Fe_2O_3/聚丙烯酸锂复合微粒电流变效应的影响

采用反乳液聚合方法制备了γ－Ｆｅ２Ｏ３／聚丙烯酸锂复合微粒，将其悬浮分散于硅油、液体石腊等绝缘介质中形成电流变体。考察了在直流和交变电场作用下分散介质的种类、表面活性剂种类及用量等对复合微粒电流变效应的影响。     

介孔分子筛MCM-48的室温合成与表面修饰

在室温条件下的碱性介质中合成了介孔分子筛MCM-48，并对其进行了有机官能团表面修饰。利用HRTEM、低温N₂吸附、XRD、TG、IR和NMR等手段对产物进行了结构和性能分析。实验结果表明，合成产物MCM-48具有规则的孔道结构、大比表面积、大孔容和窄分布的孔径。由硅烷试剂表面修饰后的MCM-48，由于有机官能团接枝在MCM-48的内表面，占据了孔道内部空间，使其比表面积、孔容和孔径都减小。     

无机盐对正负表面活性剂混合体系性质的影响

用滴体积法测定了四种离子强度下(μ=0.02, 0.05, 0.1, 0.2 mol·kg~(-1), 支持电解质为NaBr)C_(12)H_(25)SO_4Na/C_6H_(13)(NC_5H_5)Br混合体系在五种比例(10:1, 3:1, 1:1, 1:3, 1:10)时的临界胶团活度cma(25 ℃). 提出了无机盐对正负表面活性剂混合体系临界胶团活度的影响程度的计算式.     

铁缺乏症对婴幼儿智能发育的影响

为分析铁缺乏症(IDD)对婴幼儿智能发育的影响，随机抽取了6个月至3岁婴幼儿200例，按有否铁缺乏分组，比较了其与智能的关系。结果表明，铁缺乏症检出率为17．5％，铁缺乏组婴幼儿智能发育商(DQ)明显下降，与正常组比较差异有显著性，铁缺乏程度越重，DQ值越低。可见铁缺乏症对婴幼儿大脑发育造成不良影响，对该症无贫血阶段及轻度缺铁性贫血期(IDA)应予重视。     

金属离子对CdS量子点/聚酰胺-胺树形分子纳米复合材料光致发光性能的影响

以聚酰胺-胺树形分子为模板制备了分散好、尺寸均匀的CdS量子点，并用分光光度滴定法研究了Cd²⁺、Zn²⁺、Pb²⁺、Cu²⁺、Mn²⁺几种金属离子对其光致发光性能的影响。发现不同离子对CdS量子点的发光性能影响不同:Cd²⁺和Zn²⁺使量子点荧光增强，Pb²⁺、Cu²⁺和Mn²⁺使其荧光有不同程度淬灭。这归因于金属离子对CdS量子点表面的修饰作用。Cd²⁺能减少由S^2-悬键构成的非辐射复合中心，增强树形分子对量子点表面缺陷的钝化作用，并能在量子点周围形成类肖特基能垒，从而显著增大CdS量子点的光致发光效率。由于ZnS与CdS的晶格参数非常接近，Zn²⁺能起到与Cd²⁺类似的作用，使CdS量子点的发光效率大大增强。Pb²⁺和Cu²⁺能取代Cd²⁺在CdS量子点表面生成窄带隙的壳层，对其发光有很强的淬灭作用。由于块体PbS的带隙比块体CuS窄，故Pb²⁺的淬灭能力强于Cu²⁺。Mn²⁺能破坏Cd²⁺与PAMAM树形分子的配位键，降低树形分子对CdS量子点表面缺陷的钝化作用，且其本身在量子点表面构成了新的荧光淬灭中心，但Mn²⁺也能形成较弱的类肖特基能垒，故对量子点的发光淬灭作用较弱。     

碳热还原制备不同形貌的碳化硅纳米线

以酚醛树脂为碳源，正硅酸乙酯为硅源，硝酸镧和表面活性剂为调控剂，通过溶胶-凝胶和碳热还原反应制备了不同形貌的碳化硅纳米线。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线散射能谱对所制备的碳化硅纳米线进行表征。结果表明，通过此方法所制备的碳化硅纳米线均为立方结构的β-SiC，分别具有直线状、竹节状和链珠状、分枝状等不同形貌。金属催化剂和表面活性剂对碳化硅纳米线的结构和形貌变化有重要影响。