HDI工艺中取代涂树脂铜箔适合激光钻孔的半固化片

应用于HDI的激光钻孔半固化片的方法和其它常规材料相比具有的优缺点。     

2010年中国半导体规模将达121亿美元

据外电报道，尽管中国政府一直在扶植国内的集成电路设计和制造商，但对于中国每年400多亿美元的半导体需求市场，80％的需求还是由英特尔和AMD等国际厂商所提供。     

北京科菲尔电子科技有限责任公司

北京科菲尔电子科技有限责任公司是生产、研制、开发应用半导体致冷技术的专业企业，长期以来我们将半导体致冷技术应用于军事，科研、航空、航天、电子、通讯、医药和石油化工等领域。随着全球高科技技术的发展和不断的进步，我们又将半导体致冷技术应用在军民的消费类产品上，给人类带来了可喜的绿色环保型的新型冷源，1．军用冷帽（醒脑器）防止夏季中暑；2．军民两用电子冷热毯，既能热又能凉，     

氮化硅/石墨激光合金化涂层的组织结构与性能研究

为获得金属表面特别是高副接触金属表面含自润滑特性且具有高硬度耐磨特性的功能材料 ,研究了 45 # 钢表面激光合金化氮化硅 /石墨复合涂层的工艺方法、组织特征、界面形态及其形成机制 ,利用光学显微镜、扫描电镜和X射线能谱对所形成合金化层的元素分布和含量进行了分析 ,并对试样硬度进行了测定。结果表明 ,合金化层中元素Fe ,Co ,Si,C分布均匀 ;C含量达到了 15 6 9%,大部分以石墨的形式存在 ,具有一定的自润滑性能 ;但在形成合金化层的温度条件下 ,氮化硅分解严重 ;合金化层硬度提高的主要原因是Si Fe ,Co Fe固溶体的强化作用及高碳马氏体的生成和高硬度碳化物的存在。     

今后10年可能有40％的半导体供应商撤出

“半导体行业目前存在数量庞大的供应商队伍，这引发了致过度竞争，但今后10年内可能有约40％的供应商撤出该领域。”美国Gartner于当地时间9月13日公布了关于今后半导体行业动向的调查结果。     

激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型，给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN／Al2O3材料温度分布的解析形式，得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明，单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比，并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时，分界面的温度呈锯齿状不断升高。     

Nd:YAG激光治疗慢性肥厚性鼻炎对鼻腔黏液纤毛系统的影响研究

本文对Nd：YAG激光的三种不同方法治疗慢性肥厚性鼻炎治疗前、治疗后的鼻粘膜的临床表现及黏液毛系统的光镜、电镜进行了对照研究，对Nd:YAG激光治疗慢性鼻炎提供了理论依据。     

“统一显示器接口”规范将于年内推出

苹果计算机公司、英特尔公司、LG电子公司、国家半导体公司、三星电子公司、Silicon Image等公司组成的“统一显示器接口规范联盟”开发出了”统一显示器接口”（UDI）规范。新的规范将提供下一代计算机数字显示器接口标准，并兼容消费电子产品，预期明年第二季度完成“统一显示器接口”规范版本1．0。“统一显示器接口”规范预期将取代VGA标准，并确保为目前的DVI标准兼容提供指导，与高清晰多媒体接口、高清晰电视和高级消费电子显示器的标准数字接口保持兼容。     

沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世

日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准