PWM/PFM双模调制的高效率DC/DC开关电源

利用根据负载电流的大小改变调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源,并采用二次集成的方式在芯片内部集成了功率p-M O SFET。当控制电压占空比小于20%时,采用PFM(Pu lse-F requency M odu lation)模式调制;占空比大于20%时,采用PWM(Pu lse-W idth M odu lation)模式调制,平均转换效率约为93%,输出电流范围可以从0.01 A到3.0 A。当输出驱动电流为3.0 A时,整个调制控制电路的功耗仅为6.0 mW。输入电压为5 V时,负载调整率小于1.5%;负载电流为0.01 A时,线性调整率小于0.5%。     

电饼铛的原理与维修

华美YXD20-B型电饼铛是一款非常适用的炊事用具．在许多小吃店和家庭都能见到它。该型电饼铛可以上下同时加热、温度可在140℃至240℃范围内可调、并能自动恒温。由于该型产品随机未附电路图，为帮助读者维修，笔者根据实物绘出了电原理图（见附图）。     

非晶CS/RB纳米薄膜的荧光性质

采用低真空物理气相沉积法制备单组份氰基对称二苯代乙烯(CS)纳米薄膜和罗丹明B(RB)纳米薄膜以及CS/RB叠层纳米薄膜。使用荧光分光光度计、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征薄膜样品的荧光性质、结构和表面形貌。与粉末晶态样品相比,薄膜样品的荧光发射峰数量变多,发射波长范围拓宽到120 nm。有机小分子的非晶聚集态和纳米叠层结构的的纳米效应导致了样品的荧光性质的变化。     

可调滤波器的应用和发展

介绍了可调滤波器的应用背景和国内外研制现状,重点介绍了VHF/UHF通信用LC可调滤波器的设计,给出了增强二次谐波抑制的跳频滤波器的设计和验证。     

Opportunistic Data Aggregation in Low-Duty-Cycle Wireless Sensor Networks with Unreliable Links

This paper proposes an opportunistic data aggregation algorithm to support the data collection in low-duty-cycle Wireless sensor networks （WSNs） with unreliable links. In this algorithm, each sensor selectively waits for some certain time to maximize the number of packets that it can aggregate from its downstream nodes, then transmits the aggregated result to an adaptively selected upstream node following an optimal forwarding sequence. Simulation results show that the algorithm can significantly increase the data aggregation efficiency, and reduce energy consumption and message overhead.     

可调控磁场发生器的研制

装置通过STM32系列单片机作为控制芯片,对电流大小进行控制。同时利用电路简单、精度高的传统恒流源电路,反馈电路和控制电路设计出可以通过蓝牙控制的磁场发生器。     

等效相移光栅反射光谱特性的研究

等效相移光栅的原理是,通过对取样光纤布拉格光栅在特定点进行毫米尺度的“位移”,经过傅里叶变换,在各频率通道产生“等效相移”。首先利用光栅的Turan传输矩阵进行数值模拟,验证了真实相移光栅的各种性质在等效相移光栅中的实现,然后针对当前关于等效相移光栅的报道中,-2级光栅反射率都很低,并且没有出现“等效相移”的情况,提出了一种实现-2级等效相移光栅的方法,并进行了仿真验证。最后给出了等效相移光栅反射率随长度变化的曲线。     

基于自适应控制电路实现的宽带高性能频率源

基于自适应控制技术,在宽带捷变频频率合成器的设计方案中同时引入自动调节滤波电路和带温度预校准功能的自动电平控制电路,有效降低了输出信号杂散,提高了输出信号的功率平坦度, 相比传统的利用分段滤波方式实现的宽带频率源,减小了模块体积。文中不仅详细介绍了这2个电路的实现过程,还从易于工程实现的角度出发,着重介绍了一些能有效降低调试工作量的方法。设计所得的频率合成器输出频率1 000 MHz~1 900 MHz,步进2 MHz,在–45 ℃~ +85 ℃的温度范围内,实现了杂散抑制优于–70 dBc,输出功率10 dBm±0.3 dBm的技术指标。     

脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究

室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面;X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化;对薄膜的热敏电学特性测试发现,在293～368 K,小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制.     

线阵扬声器系统指向性角度可调技术

介绍了国家科技支撑计划项目2012BAH38 F00中的一个子项目(2012BAH38F03-01)研发当中对线阵扬声器系统的指向性角度进行调整的一些技术问题.主要就舞台区和观众区线阵列扬声器系统指向性角度可调控制技术进行了分析,给出了技术实现方案,解决了当前舞台区和观众区听觉呈现效果不佳的问题.