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A Q-Swicthed All-Solid-State Single-Longitudinal-Mode Laser with Adjustable Pulse-Width and High Repetition Rate
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A single-longitudinal-mode (SLM) laser-diode pumped Nd: YAG laser with adjustable pulse width is developed by using the techniques of pre-lasing and changing polarization of birefingent crystal The Q-switching voltage is triggered by the peak of the pre-lasing pulse to achieve the higher stability of output pulse energy. The output energy of more than I mJ is obtained with output energy stability of 3% (rms) at lOO Hz. The pulsewidth can be adjusted from 30ns to 300ns by changing the Q-switching voltage. The probability of putting out single-longitudinal-mode pulses is almost 100%. The laser can be run over four hours continually without mode hopping. 相似文献
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基于单相泵驱流体回路,研究了系统在不同拓扑结构下的控温性能。采用集总参数法建立了流量计算及分配模型、流体与设备换热模型、混合点温度计算模型以及热流计算模型,并运用Openmodelica仿真平台,开展了不同拓扑结构对设备温度、系统流量和系统出口工质温度的影响分析,探究了不同载荷占空下设备散热效果、系统峰值损耗和内能变化等的动态特性。结果表明,一方面,并联拓扑体系设备散热及均温效果较好;另一方面,热惯性对系统内能变化影响较大,在系统热惯性一定的条件下,载荷占空比越大工质冷却响应时间越大,系统能量损失越小。 相似文献
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基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。 相似文献
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研制了一种基于可调F-P滤波器的线性波长扫描窄线宽光纤激光器。该激光器采用环形腔结构,以高增益掺Er3+光纤(Er30-4/125)作为增益介质,以保偏掺Er3+光纤(EDF08-PM)作为可饱和吸收体抑制跳模,同时结合F-P滤波器选频,获得了单频窄线宽的激光输出。通过线性调节F-P滤波器的驱动电压,实现了对激光器波长的线性扫描。在两只975nm单模激光器的双向泵浦下,实验中测得激光器阈值为15mW,最大输出功率为24.3mW,3dB线宽约为5.2kHz。当F-P滤波器在6.1~10.2V的线性电压驱动下,激光器波长的线性扫描范围为1 542.404~1 558.836nm。 相似文献
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为解决PWM控制器中输出电压与基准电压的误差放大问题,设计了一款高增益、宽带宽、静态电流小的新型误差放大器,通过在二级放大器中间增加一级缓冲电路,克服补偿电容的前馈效应,同时消除补偿电容引入的零点。在Cadence软件平台上,经过交流和瞬态仿真,电路0 dB带宽达到55.5 MHz,电压开环增益约67.2 dB,相位裕度为83.0°上升建立时间和下降建立时间分别为6.7 V/μs和5.7 V/μs共模抑制比为49.17 dB,电源抑制比为71.39 dB。该误差放大器已经应用到了PWM芯片中,使得PWM最大、最小占空比可调,大幅提升了芯片系统的整体性能。 相似文献