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21.
本文介绍了市场上新近出现的SolidMatrix叠层多元陶瓷独石结构SMD熔断器,它是美国AEM公司的独家专利产品一种新型片式过流保护元件。该产品具有高额定电流、结构坚固、使用温度范围宽,在灭弧性、耐老化、熔断可靠性、对电路保护的有效性等诸多方面都具有明显的优势。 相似文献
22.
介绍了由我国提出的国际标准提案IEC?62047-25《硅基MEMS制造技术?微键合区剪切和拉压强度检测方法》的重要意义和主要技术内容。该标准对于微米级微小键合区的键合强度测量提供了通用、有效的方法。标准提出了拉压法和剪切法两种测试方法的测试流程。此外还介绍了MEMS理论基础、技术研究基础和国际上MEMS标准化的相关情况。 相似文献
23.
具有禁带宽度在1.45~2.25eV连续可调特性的Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜,用于顶电池在叠层薄膜太阳电池中有巨大的应用潜力。文章使用AMPS-1D对CdS/CZT结构的薄膜太阳电池进行模拟,研究了CZT与金属接触的背电极势垒、CZT薄膜厚度及掺杂浓度对CdS/CZT电池器件性能的影响。结果表明,需要采用功函数高(大于5.8eV)的金属作为背电极以消除背电极势垒;CZT薄膜厚度低于10μm时,增加厚度有助于增大电池短路电流;当CZT具有适当厚度(~6μm)时,对CZT层进行重掺杂(掺杂浓度1019~1021 cm-3)有助于获得更高效率的CdS/CZT电池。 相似文献
24.
隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω.cm2。设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900nm双叠层激光器在200ns脉宽、20A工作电流下输出功率35W,斜率效率1.8W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15V;860nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7W/A,是单层材料的2.7倍。 相似文献
25.
26.
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用. 相似文献
27.
28.
基于优化多层印制板叠层设计改进信号完整性的目的,提出了通过叠层设计中调整印制板各层导线宽度、基板厚度、填充层厚度和绝缘材料厚度4个参数值,以改变各层信号传输路径特性阻抗的方法,结合工程实例,通过在特性阻抗连续和阻抗不连续两种情况下仿真的对比试验,验证了叠层设计优化方法的有效性. 相似文献
29.
陶景升 《光纤与电缆及其应用技术》2008,(4)
在线缆制造过程中,线缆护层的挤出占据了十分重要的地位.线缆护层挤出方式以及挤出模具对挤出护层质量至关重要.目前挤出方式有很多种,但都是由三种基本挤出方式单独作用或组合而成.介绍了线缆的三种基本挤出方式的优缺点及其适用范围,以及挤出模具的设计原理,给出了部分材料的拉伸比和拉伸平衡比.并以挤管式模具设计为例,详细介绍了模具设计方法及其相关典型参数,最后简要介绍了模具的装配规则. 相似文献
30.
采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术设计了带传输零点的带通滤波器,利用三维叠层结构实现了滤波器的小型化设计,借助HFSS仿真软件对滤波器参数进行优化仿真,改善了滤波器的传输特性,有效压缩了本振信号,满足了该带通滤波器设计指标和小型化的目的。 相似文献