酸洗前处理对叠层片式电感器焊接性的影响

采用电子扫描电镜和能谱分析研究了叠层片式电感器(MLCI)端电极的三层结构对焊接性的影响。利用氢氟酸(HF)具有强氧化性的特点对产品端电极银层进行微蚀前处理以起到整平作用,利于镀层的生长。试验结果证明前处理酸洗工艺能够有效改善产品镀层的焊接性。使用质量分数2%的HF进行酸洗,能够有效去除端电极银镀层上的玻璃相成分(SiO2),从而使电感器镀层表面上锡覆盖率大于90%。     

潮湿扩散及湿热应力对叠层封装件可靠性影响

利用MARC软件,通过模拟实验分析了潮湿扩散及湿热应力对叠层封装器件可靠性的影响,对30℃,RH 60%,192 h条件下预置吸潮到后面的无铅回流焊解吸潮过程进行了有限元仿真;对85℃,RH 85%,168 h条件下元件内不同界面的潮湿扩散进行分析,得出潮湿扩散对界面的影响规律。使用一种湿热耦合方法计算湿热合成应力并与单纯热应力进行了对比。结果表明:最大湿热应力和热应力一样总是出现在顶部芯片与隔离片相交的区域,其数值是单纯热应力数值的1.3~1.5倍。     

线缆护层挤出方式及挤出模具的设计

在线缆制造过程中,线缆护层的挤出占据了十分重要的地位.线缆护层挤出方式以及挤出模具对挤出护层质量至关重要.目前挤出方式有很多种,但都是由三种基本挤出方式单独作用或组合而成.介绍了线缆的三种基本挤出方式的优缺点及其适用范围,以及挤出模具的设计原理,给出了部分材料的拉伸比和拉伸平衡比.并以挤管式模具设计为例,详细介绍了模具设计方法及其相关典型参数,最后简要介绍了模具的装配规则.     

基于LTCC带传输零点的带通滤波器

采用低温共烧陶瓷（LTCC）技术设计了带传输零点的带通滤波器,利用三维叠层结构实现了滤波器的小型化设计,借助HFSS仿真软件对滤波器参数进行优化仿真,改善了滤波器的传输特性,有效压缩了本振信号,满足了该带通滤波器设计指标和小型化的目的。     

基于微型焊球的高密度叠层自适应封装技术

为了有效解决Ka频段信号在多层高密度叠层基板之间传输处理过程中的电气互联瓶颈问题,通过采用微型焊球在层间实现信号的垂直互联和支撑连接的方法,同时实现高密度叠层自适应封装,完成了一个高密度集成的小型化毫米波SIP低传输损耗模块的制作。对工作在Ka频段基于微型焊球的高密度叠层自适应封装的设计、制造工艺过程进行了深入研究,开拓了高密度叠层自适应封装微型焊球塌陷率精准控制工艺,基于微型焊球垂直互联以及电磁隔离的设计、SIW滤波器内埋、高密度多层基板焊接工艺等。     

高斜率效率隧道结叠层激光器的研制

隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω.cm2。设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900nm双叠层激光器在200ns脉宽、20A工作电流下输出功率35W,斜率效率1.8W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15V;860nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7W/A,是单层材料的2.7倍。     

新型叠层多元陶瓷片式过流保护元件

本文介绍了市场上新近出现的SolidMatrix叠层多元陶瓷独石结构SMD熔断器，它是美国AEM公司的独家专利产品一种新型片式过流保护元件。该产品具有高额定电流、结构坚固、使用温度范围宽，在灭弧性、耐老化、熔断可靠性、对电路保护的有效性等诸多方面都具有明显的优势。     

平坦色散高非线性光子晶体光纤的制备与实验

运用改进的全矢量有效折射率法(IFVEIM),课题组自行设计了一种在900 nm附近具有低平坦色散高非线性特性的光子晶体光纤.并且在改进工艺的基础上,采用中心抽真空挤压法对其进行了制备.虽然所制得光纤的结构参数与理论设计值存在一定的偏差,但其在所研究波段内色散值仅为0.5 ps/km/nm,非线性系数值则达到了35(W*km)-1,这在当前规则结构的纯硅光子晶体光纤中已经很高.最后,我们对其进行了非线性实验测试,其在400～1 400 nm的波段范围内展现出了宽平坦的超连续谱.     

有机薄膜太阳电池的研究进展

有机薄膜太阳电池作为一种新型光伏电池,近年来得到了迅猛发展。其制备工艺简单、价格低廉、柔性、质轻,为人类解决能源问题提供了一种崭新的途径。文章综述了近年来有机薄膜太阳电池的发展状况,结合有机薄膜太阳电池的发展历史,分析了单异质结、体异质结和叠层三种典型结构器件的工作原理和研究成果,探讨了各种器件结构的优缺点,并对有机薄膜太阳电池的发展趋势作了展望。     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.