等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

线性σ-模型和在J/ψ→γpp的pp质量谱中观测到的增强现象

假定BES合作组在辐射衰变J/ψ→γ pp中观测到的pp,谱的增强是由于存在一个pp的分子态,用线性σ-模型计算了它的束缚能和寿命. 具体考虑了这种增强现象是由于pp可能形成一个S-波或P-波共振态, 并把计算结果和实验数据做了比较. 与氘核不同, 由于pp可以通过s-道湮没, 因此通过研究它的总宽度可以获得线性σ-模型及其相关问题的信息.     

Effects of Processing Parameters on Microstructure and Properties of Nanoscale ZrC/ZrB2 Multilayered Coatings

ZrC/ZrB2 multilayered coatings with bilayer periods of 3.5-40nm are synthesized by rf magnetron sputtering. Analyses of x-ray diffraction, scanning electron microscopy and nanoindentation indicate that multilayered coatings possess much higher hardness and greater fracture resistance than monolithic ZrC and ZrB2 coatings. A maximum hardness （41.TCPa） and a critical fracture load （73.7mN） are observed in the multilayer with A = 32 nm deposited at the substrate bias -40 V. Higher residual stress built in the ZrC layer can be released by periodic insertion of ZrB2 into the ZrC layer. A clear multilayered structure with mixed ZrB2（001）, ZrB2 （002） and ZrC （111） orientations should be responsible for the enhanced mechanical properties.     

进军平价Hi-End领域Esoteric(第一极品)SA-10 SACD/CD播放机

“超低价”进攻平价Hi-End播放机市场 老牌的音响发烧友都知道，Esoteric（第一极品）这个音响品牌是彻头彻尾的Hi-End级别。虽然它是日本著名音响及存储设备生产厂家Teac（第一音响）的副品牌，但就像汽车生产领域中Lexus（凌志）品牌相对于Toyota（丰田）品牌一样，“器”出同源但定位迥异。Eso-teric一向以业界顶级的制造工艺、精细的电路设计与技术应用、高贵精致的声音表现、毫不妥协的品质要求，     

短波长相干光与原子团受激发射

多种原子团及其离子已具有在VUV/XUV波段产生受激发射的能力。本文介绍了产生短波长相干辐射的方法、研究现状、研究方法和原子团的结构与受激发射。     

采用信息融合技术的IR／MMW复合导引头的目标跟踪

从误差测量环节入手，基于IR／MMW双模结构，采用信息融合处理技术提高其估计跟踪精度，最终达到降低制导误差，提高武器性能的目的，仿真结果验证了该方法的有效性。     

有限局部环Z/2\+kZ上斜对称矩阵标准形和伪辛群的阶

设R=Z/2\+kZ(k>1)是\{2\}[TX-]为非单位的有限局部环. 该文首先确定了R上斜对称矩阵标准形. 设G\+m\-p(R,H)={P∈GL\-m(R)|PHP′=H}是由矩阵H确定的伪辛群,其中H=[JB((][HL(2]0[]I\+\{(v)\}\=-I\+\{(v)\}[]0[HL)][JB))]Δ，Δ=[JB((][HL(2]\{2\}[TX-]\+\{k-1\}[]\{1\}[TX-]\=-\{1\}[TX-][]0[HL)][JB))]. 其次,计算了伪辛群G\+m\-P(R,H)的阶|G\+m\-P(R,H)|.     

一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.     

莱迪思推出LatticeECP-DSP和LatticeEC系列FPGA产品

6月29日，莱迪思半导体公司发布了其LatticeECP—DSP和LatticeEC FPGA器件系列。新的LatticeECP—DSP(“EConomyPlusDSP”)产品定位于高性能的DSP应用。在实现普通的DSP功能时，LatticeECP—DSP比其他低成本的解决方案提高50％的性能和75％的逻辑利用率。LatticeEC(“EConomy”)FPGA系列定位于通用的FPGA设计。它     

大电流监测信号提取的光收发及信号处理

近年来,大电流的监测成了人们十分关心的问题,这是由于大电流有强磁、高压、电流大等一系列的直接监测所不能克服的问题。这就需要把高压大电流的强电信号,经过提取后变成能在实验室中直接观测的弱电信号。为此,如何从高压大电流的信号中提取出随实时信号变化而实时变化的小信号就变成了一个关键问题。详细介绍了监测信号提取的光收发电路原理和后续信号处理电路,分析了各部分的作用,给出了必要的分析结果。