重感情孕育发展 暖人心构建和谐

又是一年一度中秋佳节来临之际，为使来自全国各地的外聘大学生过上一个温馨、舒心的节目。在中秋佳节前夕，江苏亨通光电股份有限公司就精心筹备，组织在得意楼进行了一次聚餐，举杯间进一步加深了与同事之间、与领导之间、与公司之间的感情，增进了公司的团队凝聚力，餐后的一份月饼更让那些外聘大学生感受到公司对他们的关心和殷切希望，因为他们是公司的未来。     

HOT TOPIC

嵌入式系统一般指非PC系统，有计算机功能但又不称之为计算机的设备或器材。它是以应用为中心，软硬件可裁减，适用于对功能、可靠性、成本、体积、功耗等综合性严格要求的专用计算机系统。嵌入式系统集应用软件与硬件于一体，具有软件代码小、高度自动化、响应速度快等特点，特别适合于要求实时和多任务体系。嵌入式系统主要由嵌入式处理器、相关支撑硬件、嵌入式操作系统及应用软件系统等组成，可独立工作。     

电话机双音频发号故障检修实例

<正> 我国各地电话交换机几乎都是程控交换机。程控交换机既可接收脉冲呼叫信号也可接收双音频呼叫信号。 老式的拨盘式自动电话机是利用机械接点的断开次数传递呼叫数字信号的,而电子电话机则用电子开关断开电路,但拔“0”这一数字,电路将断开10次,至少费时1秒钟,平均发一个六位数字电话号码需8秒左右。 电子电话机中的双音频拨号则是以音频组合信号来传递数字及其它信息的。双音频拨号共用8个不同的频率来进行频率组合,其中1kHz以上的4个频率称为高频群,1kHz以下的4个频率称为低频群。一个高音频和一个低音频的组合代表一个数字或字符,具体的频率组合如附表所示。一般电话机不用1633Hz高音频,故仅组成12个频率组合,代表电话键盘上的主要键号。     

共轭聚合物发光电池

共轭聚合物发光电池是最近出现的一种新型是致发光器件，它是由两上电极和夹在其间的一层共轭聚合物发光和集合物固体电解质的复合膜所组成。与聚合物发光二极管相比，具有稳定性好、工作电压低突出优点，具有广阔的应用前景。本文综述了这类发光电池的组成、工作原理和和研究进展，并提出了一些与其相关、值得深入研究的导合物电化学和电子过程的基础理论问题。     

带微机接口的音频/脉冲发码器UM91531

<正> UM91531是UMC公司开发的一种适合电脑控制的电话拨号集成电路,其独特之处在于:它采用了具有握手信号的并行输入接口,并且同时兼备双音多频(DTMF)电话拨号和脉冲(DP)电话拨号两种功能,可供人们用引脚连接或软件编程方式来加以选择。UM91531可与微处理器(CPU)或者微控制器(MCU)进行接口,由CPU或MCU发布指令控制其产生16种双音频信号和14种脉冲序列信号。UM91531采用廉价的3.579545MHz电视机用晶体振荡器作为时基,并进行分频,以获取具有很高精确度和稳定性的电话拨号信息。 UM91531可广泛应用于电脑话务员、电脑电话机、移动通信电话机、智能电话报警系统、DTMF编码遥控系统等     

镧、轧、镥、钇和钪与铽-乙酰水杨酸共发荧光体系的研究和应用

研究发现，镧、轧、镥、钇和钪５种稀土离子可以分别与铽－乙酰基水杨酸形成优良的 共发荧光体系。在最佳条件下，５种离子可分别使铽－乙酰水杨酸体系的荧光增强３５０、５８、 １０８、７３和４０倍。分别研究了各共发光体系的形成条件、荧光特点和影响因素。利用铽－镧－乙 酰水杨酸体系，可使铽的检测限降到３．０×１０－１０ｍｏｌ／Ｌ，铽浓度在５．０×１０－９～３．０×１０－６　ｍｏｌ／Ｌ 范围内与荧光强度呈线性关系。应用于稀土合成样品和包头稀土标准氧化物中的铽的测定， 结果满意。回收试验的回收率为９３％±４．２％。分析各体系后，对共发荧光的机理进行了初 步的探讨。     

目标识别

目标识别(target identification)指雷达对搜索空域中已检测到的目标正确地进行识别的方法或处理。合作目标的识别依靠二次大战中开发的敌我识别(IFF)技术，即在我方和友方的每一架飞机上，装有转发机，搜索雷达通过IFF发射机发射信号对目标进行询问，目标上的转发机在规定频率上以编码信号响应，IFF系统接收该响应并用可视符号进行显示。目前世界上大多数空军都采用IFF系统，所有的商用航线均采用其于IFF概念的信标跟踪系统，即所谓的二次雷达(参见二次雷达)。非合作目标识别于雷达和目标之间没有任何通信的情况。在这里，雷达和其操作员通过将可检测目标的参数，例如速度、高度和目标信号特征，诸如幅度、相位、频谱、调制方式等同已知(存库的)目标类型的上述参数进行相关比较来进行识别。非合作目标识别的成功在很大程度上取决于雷达的复杂程度，信号处理系统的先进性和目标有效观测时间的长短。     

InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长

为了生长能满足器件制作所需的外延片，采用低压金属有机物化学气相沉积（LP－MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）结构，1.55μm多量子阱激光二极管（MQW LD）以及两者集成的光发射光电集成电路（OEIC）材料结构。激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱（阱区λ＝1.6μm，垒区λ＝1.28μm）；HBT结构则采用550℃低温生长，其中基区采用Zn掺杂，掺杂浓度约为2×1019 cm-3。对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射，光致发光谱（PL）和二次离子质谱仪（SIMS）测试，结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求。