掺锗CZSi中光致发光谱的研究

本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。     

正三辛胺萃取－5－Br－PADAP－OP显色体系光度法测定铜

采用５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ－ＯＰ显色体系测定铜，考查了测定条件。以正三辛胺萃取分离干扰高子，考查了萃取分离条中。人工合成样品回收率１００．８％，铝合金标样测定误差＜－２．２％，人发分析结果的相对标准偏差＜４．０％。     

GaAs-InP异质材料的结构特性和光学特性研究

我们在低压金属有机汽相沉积(MOCVD)设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出GaAs-InP材料,并对此进行了X-射线衍射、低温光致发光谱(PL)和Raman谱分析,结果表明,GaAs外延层的位错密度低于用两步升温法得到的GaAs材料,PL谱峰较强,GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到。Raman谱PL谱的峰移表明GaAs外延层处于(100)双轴伸张应力下,应力大小随温度变化是由于GaAs、InP之间的热膨胀系数不同。     

ZnO/PS异质结的光学和电学性质

用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构及光学和电学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多缺陷.光致发光谱显示,PS的发光与ZnO的发光相叠加,呈现白光发射.对异质结I-V特性曲线的测量表明,异质结呈现出与普通二极管不同的整流特性,其反向电流不饱和,据此提出了能带模型.     

高温注氦及随后230MeV的208Pb27+辐照Al2O3的光致发光谱的研究

主要研究了110keV的He⁺高温注入Al₂O₃单晶及1.1MeV/u的²⁰⁸Pb²⁷⁺辐照注氦Al₂O₃样品的光致发光的特性. 从测试结果可以清楚地看到在375nm, 413nm和450nm处出现了强烈的发光峰. 并且在600K, 5×10sup>16ions/cm²剂量点, 样品的发光峰是最强的. 这 表明He⁺注入Al₂O₃后使带隙中深的辐射中心复合的效率大幅度提高, 极大的增强了其发光强度,而且发光伴随着蓝移现象. 而经过高能²⁰⁸Pb²⁷⁺辐照后的样品, 在390nm出现了新的发光峰,从FTIR谱中我们能够看到, 可能是²⁰⁸Pb²⁷⁺辐照相对沉积膜出现一定的晶化, 其中含有许多纳米尺寸的Al₂O₃晶粒所致.     

新疆举办“专业音响技术讲习班”

受香港广信贸易公司、飞龙电子音响专业器材厂、中邦制造有限公司、坤耀发展有限公司、宏信国际贸易公司、广东省文体进出口公司专业音响器材部、广州珠江音响灯光设备厂等的委托,乌鲁木齐市发展影音技术经营部(民办)于1990年12月17日至22日在乌市南门人民剧场举办了“专业音响技术讲习班”,由本地电声高级工程师、音响工程师和声学测试工程师介绍了当今国际上音响技术的发展概况,讲授了声学基础,     

单扫描示波极谱法测定人发中磷

用极谱法直接测人发中磷的方法至今未见报道。本文在文献[1]工作基础上,对其测定条件进行了探讨和改进,并应用于人发中磷的直接测定,获满意结果。磷和钼在酸性条件及抗坏血酸的催化作用下,迅速形成具有电活性的二元磷钼杂多酸,此杂多酸在氨性缓冲溶液介质中(pH 9.5～10.4)产生灵敏的吸附还原波,磷与该波在0.03～15μg/10ml范围内呈线性关系。本法操作简便、快速灵敏。     

《发光学报》——中文核心期刊(物理学类;无线电电子学、电信技术类)

<正>《发光学报》是中国物理学会发光分会与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所共同主办的中国物理学会发光分会的学术会刊。该刊是以发光学、凝聚态物质中的激发过程为专业方向的综合性学术刊物。     

第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议会议纪要

第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议(以下简称会议)于2009年11月13～15日在上海兰生大酒店召开。本届会议是由中国物理学会发光分会主办,上海大学-上海广电电子股     

《发光学报》征稿内容

<正>本刊征集凝聚态物质中和激发态过程研究有关的原创性论文。主要学术专题包括:1.无机、有机和生物材料的光致发光、电致发光和阴极射线发光及其应用;2