有机发光显示的几项新技术

有机发光显示(OLED)作为下一代显示器倍受关注。本文简要介绍OLED显示器的几项新技术和制作方法，以及其研究现状和今后的发展趋势。     

He原子与HF分子碰撞截面的量子力学计算

用量子力学密耦近似方法计算了入射氦原子能量E=88?meV时,He-HF碰撞,弹性散射分波截面(00-00)和非弹性散射00-01及00-02分波截面.计算结果与公认较好的Moszynski等人的SAPT势比较接近.     

Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

运输网络中最小饱和流的求解

运输网络中常常由于流量的不可控易发生堵塞现象.网络发生堵塞时的饱和流值达不到最大流值.最小饱和流是运输网络,尤其是紧急疏散网络设计中很重要的一个参数.通过建立网络的割集矩阵来确定网络的堵塞截面,基于此提出了求解最小饱和流的线性规划模型及算法.举例分析表明,利用该算法计算网络最小饱和流更加简便、更加实用.     

Mackey Theory for p-adic Lie Groups

This paper gives a p-adic analogue of the Mackey theory, which relates representations of a group of type G - H × t A to systems of imprimitivity.     

倾斜下降管气液两相分层流截面含气率的计算与液层高度的预测

分层流是气液两相流中常见的流动型式，分层流中液层高度是计算的基本数据，由于界面波的存在，对液层的测量和预测都很困难．Ｖｌａｃｈｏｓ提出了预测气液两相分层流液层厚度的关系式，但这一关系式并不适用于倾斜下降管气液两相流．本文提出了计算倾斜下降管气液两相分层流截面含气率的理论模型，在这种模型下得到的截面含气率和实验结果符合良好．在大量实验的基础上，考虑了倾角、管径、气液各相折算速度的影响，根据实验数据提出了预测液层厚度的关系式。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

Spectrum Simulation of Li-Like Aluminium Plasma

X-ray emission spectra for L-shell of Li-like aluminium ions are simulated by using the flexible atomic code based on the collisional radiative model. Atomic processes including radiative recombination, dielectronic recombination, collisional ionization and resonance excitation from the neighbouring ion （Al^9＋ and Al^11＋ ） charge states of the target ion （Al^10＋） are considered in the model. In addition, the contributions of different atomic processes to the x-ray spectrum are analysed. The results show that dielectronic recombination, radiative recombination, collisional ionization and resonance excitation, other than direct collisional excitation, are very important processes.