两种可溶性聚乙炔衍生物的飞秒发光动力学研究

采用飞秒频率上转换技术测量了两种可溶聚乙炔衍射生物ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌａｃｅｔｙｌｅｎｅ（ＰＰＡ）和ｐｏｌｙ（１－ｐｈｅｎｙｌ－１－ｂｕｔｙ１）ＰＰＢ）的发光动力学过程。采用非均匀展宽态密我规行走理论对上述结果进行了分析。     

有机聚合物量子阱结构及其应用

讨论了有机聚合物量子阱结构的生长方法,特性及其在改善发光器件性能和发展电泵有机激光中的应用。     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

表面活性剂对金属荧光反应的增敏作用

研究了各种类型的表面活性剂对铪-栎精、锆-栎精、锡-桑色素、镁-8-羟基喹啉-5-磺酸(镁-H_QS)、锌-H_2QS、镉-H_2QS、铽-EDTA-磺基水杨酸体系荧光光谱的影响.结果表明:在适当的表面活性剂存在下,各种配合物的荧光强度均大大增强.确定了在有表面活性剂参与下三元配合物的最佳形成条件;以荧光法测定了这些荧光配合物的组成.用相对法测定了有表面活性剂和没有表面活性剂存在时荧光配合物的量子效率,并计算了在激发波长下各自的摩尔吸光系数.发现在有表面活性剂存在时,由于生成了有固定组成的三元离子缔合物,荧光配合物的量子效率和摩尔吸光系数都有不同程度的提高,从而大大增强了它们的荧光强度.讨论了表面活性剂胶束的作用以及表面活性剂的分子结构对荧光反应的影响.指出只有那些分子中带电荷基团与共轭大π键不相邻的表面活性剂才能对荧光反应起增敏作用.利用表面活性剂的增敏作用有可能建立一些高灵敏度的金属荧光分析法.     

掺Nd3+氟化物玻璃中的绿色上转换发光研究

本文报道了掺钕氟化物玻璃在８５８ｎｍ半导体激光激发下的上转换发光。在观测到的各条条谱线中,与三光子过程相联系的绿光发射在强度上占绝对优势,表明钕离子在合适的氟化物玻璃有可能成为有效的绿光发射的上转换材料。     

Ce3+,Tb3+氟化物磷光体的发光性质比较

采用溶液反应和固相反应分别合成了Ｋ３ＡｌＦ６基质化合物及ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体,研究了它们的光谱特性,并与ＫＡｌＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ、ＣａＦ２：Ｔｂ和ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体的发光特性进行了比较。结果发现,ＣａＦ２：Ｃｅ,Ｔｂ、ＡｌＦ３：Ｃｅ,Ｔｂ、ＫＢＦ４：Ｃｅ,Ｔｂ和Ｋ３ＡｌＦ６：Ｃｅ,Ｔｂ等磷光体中Ｃｅ＾３＋对Ｔｂ＾３＋的能量传递不能有效进行,有时Ｔｂ＾３＋起     

GaP:N液相外延材料发光区域的荧光测量

通过磨斜角,用光致发光法测量了ＧａＰ：Ｎ液相外延（ＬＰＥ）材料中ｎ区和ｐ区的发光强度。从被测 荧光谱中可以看出,ｎ区和ｐ区均为发光区域,但是在ｐ－ｎ结两侧氮（Ｎ）浓度大致相同的情况下,ｐ区的发光强度明显高于ｎ区的发光强度,约为ｎ区发光强度的３～５倍,此实验结果表明,在ｐ、ｎ结附近杂质浓度较低情况下,ＧａＰ：Ｎ绿色发光外延材料中的发光区域主要是在ｐ区。     

金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性

制备了Au-SiO_{2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系. 关键词：}     

SrS:Eu与SrS:Eu,Sm中电子陷阱与光存储研究

对SrS:Eu和SrS:Eu,Sm激发初始阶段的荧光上升过程和余辉进行了研究,并进一步考证其中 电子陷阱的属性.通过两种样品和两个阶段的比较,对陷阱数量和深度的变化、量子效率以 及电子俘获和释放、复合过程进行了分析,发现Sm离子并不影响陷阱的数量.利用吸收光谱 方法研究了SrS:Eu,Sm中电子由陷阱能级向导带的跃迁.通过陷阱饱和-倒空吸收谱差,即激 励吸收谱及其强度随Eu,Sm浓度的变化,探讨了掺杂浓度对陷阱浓度和光存储饱和量的影响. 结果表明Sm离子的作用是使陷阱能级加深从而能稳定地储存电子.通过激励吸收谱峰值强度 可确切地比较光存储材料在这方面的性能,并与光激励谱的测量方法作了对照. 关键词： 电子陷阱 光存储 电子俘获 光激励发光     

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

利用射频磁控溅射方法,在n⁺-Si衬底上淀积SiO₂/Si/SiO_{2纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n⁺-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n⁺-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n^＋-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是：反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n⁺-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光. 关键词： 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰 雪崩击穿}