Photoluminescence Characterization of Silicon Nanoparticles Hybridized Europium Complex

A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions.     

像增强器用中波红外辐射可激励的新型荧光材料

1 引言目前,许多研究都集中于研制各种用途的中波红外成像系统。这些应用从工业用热成像一直扩展到探测车辆、导弹等的军用热成像。可反映中波红外成像目前技术水平的是加工碲镉汞、锑化铟等半导体探测器的线阵或面阵,并把它们组装到一适当光学成像系统。但是,材料和器件的产额低,这种器件不仅制作难而且成本高。本文介绍一种加工成本低用于中波红外成像的新型探测介质,具体地讲,这种新介质是一种可将中波红外     

SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。     

GaAlInP发光材料计算的经验公式

根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。     

一种新型显示器：分层优化薄膜场致发光显示屏

一、什么是场致发光显示屏？场致发光是在电场的作用下，直接将电能转换为光能的发光现象。实现这种发光的材料很多。利用这种材料制成的场致显示屏，将不需要真空，成为全固体化的发光器件，而且是平板显示器件。这种平板场致发光显示屏，按激发电源不同，有交流和直流两种。场致发光器是本世纪３０年代发明的。到目前为止，已经发展了三代。第一代是粉末场致发光器；第二代是夹层结构单色场致发光器，其发明人是日本的猪口敏夫；第三代是分层优化彩色薄膜场致发光器，其发明人是徐叙容教授。因为它是显示器中主动发光的后起之秀，目前世界…     

电离气体选择性激发产生变色发光的研究

本文综述我们对电脑气体选择性激发产生变色发光的理论研究和实验研究，并探讨这种类型变色发光的实际应用。     

GaP：（N）的背景光谱和发光尖峰

获得高分辨ＧａＰ（Ｎ）光致发光光谱，观察到等电子陷陆束缚激子发光中ＬＯ和ｌｏｃ多声子发射，其强度分布答合泊松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁，并进行了相应讨论，还观察到局域声子效应－－光谱相似定律和相当显著的背景光谱。     

关于生物系统超微弱发光的实验研究

生物系统存在超微弱光子辐射现象。通过一系列实验研究,我们认为,这种光子辐射既有低水平化学发光的性质,又有受激辐射的性质,是受激的低水平化学发光。     

SPP在薄膜MIM隧道结发光中的作用

本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.