中子小角散射讲座：第二讲中子小角散射装置及实验技术

自从 Krishnamurti(1930)和 Warren(1934)首先对碳黑及其它一些物质观察到小角散射现象后,立即吸引了科学家们的注意,把精力投入基本原理和X射线谱仪的更新工作中去.在用X射线对溶液、纤维和蛋白质研究的同时,又推动了光和热中子小角散射研究的发展,确认小角散射技术能够广泛应用于冶金学、生物大分子、聚合物及物理化学等各种领域.1955年法国著名物理学家 Guinier和 Fournet合写的“Small Angle Scattering of X-Rays”这一经典著作问世后,热中子小角散射的研究自此稳定地开展起来. 第一届和第二届小角散射国际会议分别在美国的 Syrac…     

HL—2A装置多极场电源初步设计

HL－2A装置的偏滤器需要4套电源为其负载线圈即多极场线圈供电，其目的是要产生出位于孔栏半径内的磁分界面，并保持其位形的稳定。根据装置的技术要求和运行指标，多极场电源在初步设计中确定了各电源的主电路接线型式，计算了主回路的基本参数，并用电磁暂态计算程序EMTP对多极场电源等效电路进行了模拟计算，给出了多极场线圈的电流波形及电源的功率能耗曲线。此外，对系统的逻辑控制、事故保护、参数测量进行了初步设计。     

HL—1装置电流上升段辐射与杂质特性

托卡马克等离子体中的杂质会影响托卡马克的放电品质及等离子体特性。许多理论和实验对杂质的产生和输运做了深入详细的研究。等离子体电流起始阶段,由于约束性能不好,会引起大量的杂质产生,辐射损失增大是杂质增加引起的直接后果。杂质辐射是等离子体辐射的主要组成部分之一,等离子体线辐射功率～Z_(eff)~6,复合辐射功率～Z_(eff)~4,轫致辐     

Synthesis,Structure and Near-infrared Luminescence of a Dinuclear Ytterbium（Ⅲ） Complex with a Bis（2,2＇-bipyridyl） Ligand

The title complex {Yb（hfac）3}2（bpyC≡CC6H4C≡Cbpy） （hfac = hexafluoroacetyl- acetonate,bpyC≡CC6H4C≡Cbpy=2-（pyridin-2-yl）-5-（2-（4-（2-（6-（pyridin-2-yl）pyridin-3-yl）ethynyl）- phenyl）ethynyl）pyridine） has been prepared and characterized by X-ray crystallography. It crystallizes in the monoclinic space group P21/c with a = 17.240（16）, b = 25.64（2）, c = 16.481（15）A, β = 93.469（9）°, V = 7271（12）A^3, Z = 4, Mr = 2022.91, F（000） = 3888, Dc = 1.848 g/cm^3 and μ（MoKα） = 2.708 mm^-1. The structure was refined to R = 0.0714 and wR = 0.1762 for 9771 observed reflections （I 〉 2σ（I））. Sensitized near-infrared （NIR） luminescence from YbIII centers was achieved through efficient antenna effect or energy transfer from the bridging ligand chromophore.     

荧光动力学的转移函数理论

为描述弱激发条件下存在能量传递的体系中的荧光动力学特性,引进了响应函数和转移函数,并由此建立了新的描述体系动力学过程的系统表述方法。通过一些实例的讨论,表明新方法是系统研究复杂体系荧光动力学的有效手段。 关键词：     

市电来电提醒自动装置的设计与应用

在农村电信支局,经常由于供电部门线路施工或故障检修,不得不通过油机发电来保证正常通信.虽然艾默生PSMS动力及环境监控系统可以远程监控市电状态,但由于实行综合监控,值班人员往往无法及时将来电信息反馈给一线发电人员.     

安捷伦科技MIPI D—PHY综合测试平台赢得意法半导体订单

安捷伦科技公司日前宣布，意法半导体（ST Microelectronics）已选择安捷伦的物理层接收机测试解决方案，以按照MIPID—PHY标准来检测器件。该测试装置在业界率先提供全套自动化物理层接收机和发射机测试，既可提高测试速度，又可简化测试过程。     

AMEC发布新型蚀刻与CVD设备

中微半导体设备（Advanced Micro-Fabfication Equipment．AMEC）12月正式发布了两款新产品：蚀刻装置“PrimoD—R1E”和CVD装置“Primo HPCVD”。AMEC称，两款产品均针对65nm及45nm工艺节点，比市场现有产品处理能力高出35％，因此成本理论上也可下降35％。