HL—1M托卡马克中的硼化

用碳硼烷加氢直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ硼碳比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻能力。硼化显著了改善了等主子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小，放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。     

HL—1装置辅助加热等对能量约束的影响

在ＨＬ－１托卡马克上进行了辅助加热，加料，电流驱动的物理实验研究。在改善等离子约束方面，某些实验取得了较好的结果。在适当的稳定放电条件下，低杂波电流驱动和弹丸注入辅助加料，均能使等离子体能量约束得到一定程度的改善，与相同密度条件下的欧姆加热放电相比，能量约束时间提高了约３０％。在电子回旋共振加热等离子体实验中，等离子体总能量明显增加，但与相同密度条件下的欧姆加热放电相比，能量约束时间减少了约２０％     

New BCN Fibres for Strong Ultraviolet and Visible Light Luminescence

Novel B3CN3 fibres with a special structure have been synthesized by a pyrolysis process. High-resolution TEM analysis shows that the as-prepared B3CN3 fibres can be described as a nanofibre-interweaved network. Strong photoluminescence at 370 nm and 700 nm from the as-prepared B3 CN3 fibres are observed at room temperature, which suggests that B3 CN3 is a promising ultraviolet- and visible-light-emitting material.     

Bi3+和Eu3+在Ca2SiO4中的发光和能量传递

用高温固态反应合成了Ca2SiO4:Bi3+,Ca2SiO4:Eu3+和Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+发光体。讨论了不同掺杂量和掺杂种类时Bi3+对Eu3+的5D0-7F1,5D0-7F2发射的影响规律。实验发现,Ca2SiO4:Bi3+在紫外线激发下发出明亮的蓝色光,Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+中的Bi3+能将激发能传递给Eu3+,使Eu3+的5D0-7F1和5D0-7F2两种跃迁都大大加强,同时,Bi3+也发出鲜艳的紫色光。     

AFTEX—3000F型ECR溅射装置

电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。     

半导体发光器件技术现状及其产业发展趋势

本文根据最新资料，综述了上前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。     

热设备衬里损伤的红外诊断及特征识别

阐述了热设备衬里损伤的红外诊断及特征识别的基本原理和方法。在此基础上，研制开发的红外诊断软件包，在石油一厂１２０万吨／年催化裂化装置上进行了应用，在可靠性与实用性得到验证的同时，为企业创造了明显的经济效益。     

铽－甲基吲哚乙酰丙酮三元配合物发光过程研究

测定和分析了ＲＥ．Ｌ１．Ｌ２（ＲＥ＝Ｔｂ（Ⅲ）、Ｇｄ（Ⅲ），Ｌ１＝３Ｍ（３甲基吲哚－１－乙酰基丙酮），Ｌ２＝ＴＰＰＯ、Ｐｈｅｎ、Ｄｉｐｙ）三元配合物的荧光光谱、磷光光谱、磷光寿命及变温荧光光谱等．讨论了Ｔｂ（Ⅲ）与配体之间的能级匹配和Ｌ１与Ｌ２的三重态之间传能的问题，说明了影响这些三元配合物荧光效率的主要因素及其发光过程．