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随着TFT显示技术的发展,TFT产品迅速进入商品化阶段。由TFT技术产生的衍生品,如TFT Monitor,TFT TV已在不少领域代替传统CRT产品。TFT产品主电源要求一般有以下几种:+5V/2.3A(15英寸)2.7A(17英寸),辅电源要求为+3.3V/800mA,+2.5V/400mA,背光部分输出功率为8~12W,TV turner要求为+5V/80mA。因为背光冷阴极驱动,故启动电压要求达1.3kV以上,灯管点亮后维持电压在450V左右。一般Monitor的输入电源往往采用12V Adapter,且因TFT产品往往外形轻便,厚度较薄,要求供电部分产生的热量要少(效率要高),体积要小,故TFT Monitor/TV的供电要求有其一定的特殊性,需要有针对该要求的供电方案。 相似文献
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采用溶胶 凝胶法制备了Zn2SiO4∶Mn薄膜并结合毛细管微模板技术实现了薄膜的图案化,利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜,光学显微镜,发光光谱等手段对Zn2SiO4∶Mn的结晶过程、发光性质进行了研究。XRD结果表明,溶胶 凝胶法合成的样品在800℃时已开始结晶,在1000℃时可得到纯相的Zn2SiO4∶Mn,这比传统的固相法的烧结温度低150℃。Zn2SiO4∶Mn薄膜的激发光谱在220nm和280nm之间有一个强的吸收峰,峰值位于248nm,发射光谱的最大值位于522nm,为绿光发射。从原子力显微镜照片可知组成薄膜的粒子比较均匀,其平均直径为220nm。我们获得了四种图案化宽度,分别是5,10,20,50μm。光学显微镜的结果表明,图案薄膜烧结后相对于烧结前有10%~20%的收缩。 相似文献
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84.
Efficient Visible Electroluminescence from Porous Silicon Diodes Passivated by Carbon Films
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《中国物理快报》2002,19(7):1013-1015
By using n-butylamine as a carbon resource,carbon film is deposited on the p-n porous silicon (PS) surface with a radio-frequency glow discharge plasma system.Raman spectra and infrared reflection (IR) spectra of the carbon films indicate that there are amine-group and hydrogen atoms therein.The IR spectra of the passivated PS samples exhibit that the PS surfaces are mainly covered with Si-C,Si-N and Si-O bonds.Electroluminescence (EL) spectra show that the EL intensity of the passivated PS diodes increases greatly and the blueshift of the EL peak occurs compared with the diodes without treatment.Both of these are stable while the passivated diodes are exposed to the air indoors.The I-V characteristics reveal that the passivated diodes have a smaller series resistance and a lower onset voltage.The influence of the carbon film passivation on EL properties of PS has also been discussed.The results have proven that carbon film passivation is a good way to enhance the PS luminescent intensity and stability. 相似文献
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A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions. 相似文献
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1 引言目前,许多研究都集中于研制各种用途的中波红外成像系统。这些应用从工业用热成像一直扩展到探测车辆、导弹等的军用热成像。可反映中波红外成像目前技术水平的是加工碲镉汞、锑化铟等半导体探测器的线阵或面阵,并把它们组装到一适当光学成像系统。但是,材料和器件的产额低,这种器件不仅制作难而且成本高。本文介绍一种加工成本低用于中波红外成像的新型探测介质,具体地讲,这种新介质是一种可将中波红外 相似文献
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本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。 相似文献
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根据已经发表的实验数据,针对镓铝铟磷发光材料的提出了一组经验公式及相应的曲线,作为GaAlInP可见光材料设计的依据或参考。 相似文献