用推转玻尔-莫特森哈密顿量研究A～190区超形变带

用推转玻尔－莫特森哈密顿量研究了Ａ～１９０区２０个核的５５条超形变带．通过拟合实验测得的Ｅ２跃迁能量值，确定了各带的能级自旋，得到了质量参量Ｂ１和硬度参数Ｃ０．Ｂ１和Ｃ０都显示出明显的奇偶性. superdeformed bands in 20 nuclei of the A ～190 region are studied with formulas derived from the Cranking Bohr Mottelson Hamiltonian. From fitting the experimental E γ , the level spins are determined and mass parameter B 1 and rigidity parameter C 0 are obtained. The B 1 and C 0 values show clear odd even effects.     

锡(Ⅳ)-偶氮邻苯二酚苯基荧光酮-吐温-80体系分光光度法测定岩石中微量锡

pH值在7.0-8.5的范围内，锡与偶氮邻苯二酚苯基荧光酮、吐温－80形成络合物，其最大吸收峰556nm，摩尔吸光系数2.9×10^5L·mol^-1·cm^-1，锡的含量在0－6μg/25mL范围内遵守比耳定律，本方法对干扰离子的影响和消除进行了研究，本方法已被用于岩石样中锡的测定，结果满意。     

布拉格方程在高聚物结构研究中的应用

本文将布拉格方程推广应用到高聚物的结构研究中，得到了经不同剂量辐照的聚乙烯单晶的长周期，并辅以示差扫描量热法研究了γ－射线辐照对聚乙烯单晶结构的影响．     

AXE—10交换机中的IOG故障分析与处理

本文就ＡＸＥ－１０交换机中ＩＯＧ出现过的一些故障加以总结，归纳分析，为今后的设备维护提供一些参考。     

TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究

分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的７５ｍｍ３７２×２７６像素α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源矩阵     

Au／AuGeNi／n—GaAs欧姆接触失效机理的研究

对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ）。（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效，ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。     

（Φ，Δ）型概率收缩与Menger PN－空间中非线性算子方程的解

本文在Ｍｅｎｓｅｒ概率赋范空间中引入了（Φ，Δ）型概率收缩的概念，研究了Ｍｅｎｇｅｒ概率赋范空间中具有这类概率收缩的非线性算子方程的解的存在性与唯一性．发展和改进了引文［１］、［４～８］的相应结果．