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研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。 相似文献
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AD PCM自适应差分脉冲编码调制ADSL不对称数字用户线AN接人网ANSI美国国家标准化委员会ATC空中话务控制器Ad即ter jack附加插口ALPH字符ALC终端ANT天线AdjustrUent卯ints调整点Base bond基带Batte叮eover电池盖Bi浏ar transistor双极晶体管BPF带通滤波器BT忙音Buffer amp缓冲放大BUrlTON键,按钮BUZZ振铃CAS随路信令CCS共路信令CUP主叫线路识别显示c0IC中央局端接口Channel eode信道编码Ch叩ng eontaer充电连接Cloek时钟Charger充电器CLR button清除键C叮stal晶体Ceramie filter陶瓷滤波器DMT离散音频DP拨号脉… 相似文献
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用溶胶-凝胶技术在Bi(100)衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜,其膜层组分分别为:Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3,对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量,通过椭偏光谱解谱分析研究,首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数,其结果显示:椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符;渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多,与体BaTiO3的折射率相接近,这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。 相似文献