闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究

在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能。实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz(Δλ<3.6×10-6nm)。实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性。     

锥形透镜光纤聚焦特性研究

锥形透镜光纤(TLF)是实现光纤与平面光波光路(PLC)芯片高效耦合的核心元件。了解和掌握其聚焦特性是指导平面光波光路尾纤封装技术的关键。给出了表征锥形透镜光纤聚焦特性的两个参量出射光斑直径和远场发散角的理论分析模型,其误差小于1.14%;采用光束传播法数值模拟了锥形透镜光纤中的光波传输和模斑的演化,确定了锥形透镜光纤端面出射光斑的大小;优化锥形透镜光纤结构参量为:拉锥长度300μm,锥角0.733°,透镜曲率半径13.485μm;建立了基于数字摄像机的锥形透镜光纤出射光场测试系统,提出了物理光学反向推演法,计算出锥形透镜光纤聚焦光斑尺寸和远场发散角。理论与实验结果有着良好的一致:对于相同结构参量的锥形透镜光纤,实验反推法得到的出射光斑尺寸与理论值相比误差为3.15%,远场发散角误差为3.67%。     

强激光在窄通道中传播的理论研究

在考虑相对论和有质动力非线性以及全局电量守衡的前提下,分析了强激光在冷等离子体窄通道中稳定传播的情况。采用较为简化的二维理论模型,给出了描述激光和通道横向结构的解,对不同通道宽度、通道密度、激光强度和电磁模式等进行了讨论,分析了其对激光在等离子体通道中传播的影响。分析发现,在存在预通道的情况下,当等离子体通道的密度大于临界密度很多时(例如20倍临界密度),即使是在激光波长量级的通道中,激光仍然可以传播。通道越宽,等离子体密度越小;激光强度越大越容易传播。在同样的通道和传输情况下,TE0模传输所需要的激光强度比TE1模要小。     

基于YIG单晶薄膜的陷波器设计

针对基于环球耦合谐振的钇铁石榴石(YIG)小球陷波器装配调试工艺复杂、不利于多通道集成的问题,提出了一种采用静磁波技术来实现YIG单晶薄膜陷波器结构与设计方法.该文通过对单晶薄膜陷波器工作原理的分析,静磁反向体波的角频率与波数(ω-k)色散特性与微带激励谐振换能器的静磁波激励特性的数值计算及器件仿真优化,设计了调谐工作...     

Nd:GGG晶体荧光寿命的测试

针对Nd:GGG激光器,介绍了荧光寿命测试原理,设计了低频窄脉宽荧光寿命测试系统.该系统由光源、光路系统、驱动电路和探测系统等几部分组成.利用脉冲取样技术测试了Nd:GGG晶体的荧光寿命约为250μs左右.     

一种使用一维电磁带隙结构的高性能Ka频段四次谐波混频器

介绍了一种全集成微带四次谐波混频器,该混频器采用了一种新型电磁带隙结构,可获得很低的变频损耗指标.阐述了一般的谐波混频理论,并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真.实测得到射频在34~36GHz的频带内,固定中频为100MHz,该混频器最小变频损耗7.67dB,最大变频损耗<10dB.     

大能量窄线宽全固态钛宝石激光器的研究进展

主要介绍了用于差分吸收激光雷达系统和蓝绿激光通信的大能量、窄线宽全固态脉冲钛宝石（Tn：Al2O3）激光器的应用及其在国内外的研究历史和现状。阐述了目前获得大能量、窄线宽全固态钛宝石激光器的几种典型方法,比较了其优缺点,并对这种激光器的发展前景进行了展望。     

一种短波跳频信号远程解调系统的设计

本系统利用TMS320C6701DSP板、高速A／D变换器和光纤技术,实现对短波跳频信号的远程解调,并集数据采集、频域解调、数字录音和接收机遥控多种功能于一体,系统稳定可靠,得到用户好评。     

一种高可靠同步整流变换器的反向电流控制电路

在成本与环保问题的强烈推动下,对功率变换器的轻载效率要求不断提高,需要在轻载下进行低功耗设计.同步整流变换器在轻载下会产生反向电流,而反向电流控制电路是提升轻载效率的有效手段.传统的反向电流控制电路需要电流采样,或者特定的控制芯片实现,不具备高可靠、低成本的特点.因此针对高可靠应用,提出了一种新型反向电流控制电路,仅需要少量元器件以及通用PWM控制器即可实现轻载反向电流的阻断.首先,对轻载下反向电流的产生机理进行了阐述,得到反向电流主要流过同步续流管的结论.其次,详细介绍了提出电路的工作原理,推导了关键参数的表达式,并进行仿真.最后,将该电路应用于一款100 W的正激同步整流变换器中,并进行参数设计.测试结果显示,应用该电路的样机可以实现全输入电压范围下的反向电流控制,轻载效率提升了约10%-20%,空载电流降低了87%,输出电压的负载瞬态与负载调整率基本不受影响.     

基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

随着移动通信技术的发展,射频（RF）电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器（VCO）,是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件,然而在用实际工艺实现电路时,会发现变容二极管的品质因数通常都很小,这将影响到电路的性能。于是,人们便尝试采用其它可以用CMOST艺实现的器件来代替一般的变客二极管,MOS变容管便应运而生了。