纳米WO3的制备及其光解水析氧性能研究

用溶胶凝胶法,灼烧法合成了纳米级WO3,采用X-射线衍射、紫外可见漫反射光谱对WO3进行表征.在Fe3 为电子受体、溶液酸度pH为2.0情况下,研究了纳米级WO3在365nm紫外辐射下光解水析氧的光催化活性,并讨论了不同方法制备的催化剂活性差异的原因.结果表明,结晶程度越高、尺寸越小、比表面积越大的纳米级WO3具有更高的光分解水析氧活性,电子受体的浓度、溶液的酸度对析氧活性有明显的影响.     

利用喇曼光谱测量氧碘化学激光器氯气利用率的实验研究

 介绍了利用自发喇曼散射光谱测量氧碘化学激光器单态氧发生器氯气利用率的原理及实验装置，并给出了在以氮气作为稀释气的0.1mol/s射流式氧发生器上测试的结果，测试相对误差小于12%。由于该方法只需要通过测量喇曼谱线相对强度之比，即可算出氯的利用率，因此不需要另外的标定实验，从而避免了因标定带来的影响。该方法减小了测试误差，简化了实验过程，提高了测试效率。     

RBaCo_2O_(5 δ)(Pr,Sm,Y)体系的滞弹性内耗研究

本文对双钙钛矿结构RBaCo2O5 δ(Pr,Sm,Y)化合物进行了内耗研究。随稀土元素R的不同该材料体系存在着不同的晶体结构,并导致了氧缺陷不同的驰豫行为。体系内耗谱图中呈现的一个驰豫型内耗峰被认为是由于[ROδ]层中额外氧的运动引起的。SmBaCo2O5 δ体系中在360 K附近还观察到一个相变型内耗峰,它伴随有模量的变化。     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

氧离子激发光谱的精密测量

在2×1.7串列加速器上利用束-箔方法和装有CCD的Spectrapro-500i光谱单色仪的测量装置，在2MeV束能下研究了250nm—350nm波长范围离化态氧原子光谱.在250nm—350nm范围已确定的201条光谱线，确定的跃迁大部分属于OⅡ到OⅣ原子的n，l能级间的跃迁，一些实验结果与现有理论一致.实验发现，在这个范围的光谱大都属于弱跃迁谱线，并且许多谱线是以前没有观测到的. 关键词： 串列加速器 氧离子 CCD 光谱