全文获取类型
收费全文 | 3172篇 |
免费 | 671篇 |
国内免费 | 622篇 |
专业分类
化学 | 119篇 |
晶体学 | 26篇 |
力学 | 1341篇 |
综合类 | 91篇 |
数学 | 276篇 |
物理学 | 1036篇 |
无线电 | 1576篇 |
出版年
2024年 | 33篇 |
2023年 | 102篇 |
2022年 | 132篇 |
2021年 | 157篇 |
2020年 | 113篇 |
2019年 | 111篇 |
2018年 | 64篇 |
2017年 | 122篇 |
2016年 | 103篇 |
2015年 | 144篇 |
2014年 | 220篇 |
2013年 | 171篇 |
2012年 | 168篇 |
2011年 | 186篇 |
2010年 | 187篇 |
2009年 | 200篇 |
2008年 | 198篇 |
2007年 | 186篇 |
2006年 | 204篇 |
2005年 | 182篇 |
2004年 | 156篇 |
2003年 | 180篇 |
2002年 | 128篇 |
2001年 | 101篇 |
2000年 | 93篇 |
1999年 | 109篇 |
1998年 | 79篇 |
1997年 | 86篇 |
1996年 | 109篇 |
1995年 | 78篇 |
1994年 | 82篇 |
1993年 | 57篇 |
1992年 | 54篇 |
1991年 | 33篇 |
1990年 | 60篇 |
1989年 | 36篇 |
1988年 | 25篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 3篇 |
1982年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有4465条查询结果,搜索用时 140 毫秒
21.
彩色PDP用玻璃基板 总被引:4,自引:0,他引:4
本文讨论了彩色PDP现用钠钙玻璃的热稳定性,指出由于这种玻璃在热处理过程中易变形和收缩,因而不适合作大面积彩色PDP基板材料,介绍了彩色PDP基板玻璃的制造方法和特点。最后介绍了日本旭硝子公司和美国康宁公司各自为彩色PDP新开发的玻璃基板材料PD200和CS25。 相似文献
22.
对结构难熔金属,如钨、钽、铪及其合金的高应变速率行为进行了评述。钨、钽及其合金有显著的速率敏感性,而铪很少有或没有速率敏感性。单晶及(100)取向织构钨具有极佳延性,而(110)取向织构钨则以典型的脆性方式断裂。钨重合金(WHA)具有中等延性,而且在高应变速率下发生应变局部化。钽具有中等到上等的延性但其变形高度依赖于初始加工织构。铪的延性极佳且在很宽的应变速率范围易于局部化。难熔金属的宏观高应变速 相似文献
23.
认为物质的质量(能量)存在形式可分为两部分,一部分是以纯物质形式存在的,另一部分是以纯重力场形式存在的.物质质量(能量)这两种形式各自对应着相应的能量 动量张量,物质总的能量-动量张量可表示为Tμν=T(Ⅰ)μν+T(Ⅱ)μν,这里,T(Ⅰ)μν,T(Ⅱ)μν分别代表物质纯物质部分和纯重力场部分的能量-动量张量.通过类比电磁理论,定义:ωμ≡-c2gμ0/g00,并引入一个反对称张量Dμν=ωμ/xν-ων/xμ,则物质纯重力场部分的能量-动量张量为T(Ⅱ)μν=(DμρDρν-gμνDαβDαβ/4
关键词:
能量-动量张量
纯重力场
重力场方程
标量重力势
矢量重力势 相似文献
24.
用气压浸渗工艺制备了体积分数40%~50%Al2O3颗粒增强纯铝基复合材料,使用了4种不同尺寸的Al2O3颗粒,其平均粒径分别为5μm、10μm、30μm和60μm.测定了这些复合材料的静、动态压缩性能,并通过材料压缩前后密度变化的测量定量表征了材料的累计损伤,结果表明,与基体材料相似,这些复合材料表现出明显的应变率敏感性;当增强颗粒平均粒径小于60μm时,材料的累计损伤基本与应变率无关,而主要取决于材料的应变.材料中颗粒的破裂主要是由颗粒间的相互作用引起的.较小尺寸颗粒增强的复合材料具有较高的流动应力和较小的累计损伤,并随着颗粒体积分数的增加,材料的流动应力和损伤率都相应增加. 相似文献
25.
26.
CBGA组件热变形的2D-Plane42模型有限元分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍有限元中的2D-Plane42模型在CBGA组件热变形中的应用,利用有限元的模拟CBGA组件的应变、应力的分布,通过模拟表明有限元法是研究微电子封装中BGA焊点、CBGA组件的可靠性的方法。 相似文献
27.
28.
徐至中 《固体电子学研究与进展》1995,15(3):222-227
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x(001)衬底上的应变GaAs层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率,讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分X的变化关系,计算结果表明,对所有X值,fhc=0,fHC,fLC及fSC随X的变小而变小,fLc及fSc随X的变小而变大。对n型GaAs/GexSi1-x(001),应变使Xxxxx变小,对p型GaAs/GexSi1-x(001)应 相似文献
29.
对In(0.2)Ga(0.8)As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确认PR中11H、13H等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质.而11L、31H、22H等跃迁结构为阶间耦合态,对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性. 相似文献
30.