基于虚拟插件的SOC内核互连方法的研究

传统的IC设计方法已无法适应新的片上系统（System On a Chip,SOC）设计要求,需要根本的变革,即从以功能设计为基础的传统IC设计流程转变到以功能整合为基础的SOC设计全新流程。SOC设计以IP的设计复用和功能组装、整合来完成。随着以IP核复用为基础的SOC设计技术的发展,在实际设计时如何有效地对众多IP供应商提供IP核进行有效互联的问题日益受到重视。文章基于标准的接口协议——虚拟元件接口（VCI,Virtual Component Interface）,探索了一条快速、简便、稳定且易于验证的SOC内核互连的方案。     

金属线宽与间距渐变的片上螺旋电感设计规则研究

在分析片上螺旋电感的磁场分布及射频损耗机制的基础上,研究了电感的金属线宽及线圈间距的变化对电感性能的影响,在大量数值分析基础上提出了金属线宽与间距之和不变,而金属线宽与间距之比从外圈到内圈逐渐减小的渐变型片上螺旋电感,并得到了实验验证,多组样品的测试结果与数值分析结果相吻合,以2.4 GHz频段处为例,在高阻硅衬底上制备的5 nH渐变结构电感的品质因子Q为11,比具有相同外径和电感值的固定金属线宽及间距的传统电感高19.6%.     

一种用于单片UHF RFID阅读器中的低相位噪声LC VCO设计

介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路.通过在传统的VCO电路中加入抑制电源噪声的regulator并在共模端加入平衡滤波电路对尾电流源的二次谐波分量进行抑制来降低1/f3区域的相位噪声,同时选取合适的电感值及其Q值使得VCO在1/f2区域也能获得较佳的相位噪声性能.同时,文中给出了本设计中使用的低噪声基准源电路.整个电路采用UMC0.18 μm MM/RF CMOS工艺实现,仿真与测试结果显示所提出的VCO结构和传统VCO相比几乎在所有区域内对相噪声均有5 dB的改善.本设计使用的电源电压为3.3 V,VCO中心频率为1.8 GHz,调谐范围约为11%,频偏1MHz处相位噪声约为-127 dBc/Hz,总电流约为7.2 mA.     

新型波导-微带对脊鳍线过渡设计

介绍了一种新型的宽带波导-微带对脊鳍线过渡设计。它利用对脊鳍线自身结构的调整,就可以对频带内谐振频率产生抑制作用,不需外加任何谐振抑制结构或金属孤岛,减少了设计和制造的复杂性。这种紧凑的过渡模型不仅结构简单、尺寸短小,而且可以在宽频带范围内实现较低的插入损耗和回波损耗,方便工程上的应用。对实验样品的测试表明,在Ka全频段内其插入损耗小于0.8 dB。     

贴片电容器失效分析

采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。     

参芪博力康片中人参薄层鉴别方法的比较研究

针对日常药品监督检验工作中发现的问题,对参芪博力康片中人参薄层鉴别方法进行研究。借助薄层色谱鉴别方法,以人参为研究对象,鉴别人参皂苷Rg1、Rb1和Re。得出结论：新建立的薄层鉴别方法较原标准方法准确、可靠,为更加科学规范提供其质量控制依据,建议修订其原标准中人参薄层鉴别方法。参芪博力康片参照标准为《卫生部药品标准》第十九册,功效为益气养血,有滋阴补阳的作用。按照现行标准中人参薄层鉴别方法,检验结果样品斑点模糊,不易分离,人参皂苷Re对照品斑点在薄层板上未显像,其结果影响了对药品质量的有效控制。经过与药典方法和相关文献的对照与分析,现拟定了新的薄层鉴别方法,为其质量标准科学、规范修订提供技术参考。     

一种无片外电容LDO的稳定性分析

电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5～6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100μA到100mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 MHz     

基于片上存储器的SDRAM换行访问低功耗设计策略

在以SDRAM为主的存储系统中,SDRAM的换行访问产生了大量的功耗开销,减少换行次数可以降低存储系统功耗。本文提出了引入片上存储器来降低SDRAM换行次数的低功耗设计策略。该策略首先对指令执行流进行分析,并统计出在对堆栈和全局变量的访问时产生了频繁换行;然后将堆栈放入片上堆栈存储器;同时借助有芯片面积约束的贪婪算法确定了片上数据存储器的大小和所存放的全局变量。实验结果表明,引入较小的片上存储器就使得换行次数大大降低,功耗显著下降,减少换行访问的功耗平均下降了24%。     

超高频晶体管共晶装片中eb结失效的分析

我厂超高频低噪声晶体管在管芯生产过程中，应用了许多特殊工艺，如预光刻、浓棚扩散、硼离子注入、浅结扩散、引线孔光刻采用泡发射极工艺，背面六层金属电极工艺，延伸电极钛铝合金等工艺。3DG79（即3DG105，是正向自动增益控制超高频、低噪声晶体管）用于VHF高频调谐器高频放大用。起先我们是用银浆装片的，为了提高组装质量的一致性，减少集电极欧姆接触电阻，最近我们把3DG79的装片工艺也改成自动共晶装片。共晶装片是在410℃温度情况下，管芯背面（V，N1，AuGe，AuCeSb，AuGe，Au）六层电极的金属层在振动头振动磨擦作用下，…     

一种应用于波分复用无源光网络系统中的滤波片-PIN-TIA阵列光接收组件

设计并实现了一种将密集波分复用(DWDM)薄膜滤波片与光电探测器PIN以及前置放大器TIA集成封装的光接收组件。通过创新设计单模光纤双芯插针和自聚焦透镜的结构,解决了透过密集波分复用滤波片后的反射光偏离轴线带来的耦合问题。并基于该组件实现了32个密集波分复用通道的解复用与信号检测同时完成的波分复用无源光网络(WDM-PON)系统中上行信道阵列接收模块。测试表明模块满足国际电信联盟(ITU-T)中心波长,最小插入损耗为0.3 dB,最大插入损耗为6 dB,响应速率为100 Mbit/s~1.25 Gbit/s。