高剂量率单次快脉冲辐射参量测量

记述了“强光一号”高剂量率脉冲辐射装置在状态调试过程中对其出射波形和辐射剂量进行监测的基本情况，实际监测的结果与设计方监测的结果进行了比对，双方的剂量监测值基本一致，偏差在20％以内；双方的波形形状十分相似，但测量得到的波形半宽度却相差10～20ns，最后对双方束流监测产生的差异进行了定性分析。     

基于PTFE的PCB的多层层压方法

介绍了采用不同材料类型的粘结膜、半固化片、所需设备和粘结材料,用于生产低到高层数的PTFE多层板的情况。     

单片集成电路电话机电路剖析

单片集成电路电话机电路剖析陈振源目前的按键电话机一般有３片集成电路，分别实现拨号、振铃及通话的功能。美国摩托罗拉公司生产的ＭＣ３４０１］电话，机单片集成电路可提供双音频话机所必需的全部基本功能见图１。即芯片可实现双音频拨号．振铃和通话放大功能，大大减...     

三脉冲不等强度激光片光源的研制及应用

本文报道了最近研制成功三脉冲不等强度调Q红宝石激光片光源系统.利用小颗粒对片光源90°方向的散射光对动态颗粒场进行高速摄影,从底片中能够精确直观地判断微小颗粒的瞬时分布、运动方向、速度和加速度情况.     

设备综合效率成为半导体工业最重要的评估方法

为了保持半导体工业２５％～３０％的年增长率，必须大大提高设备效率。一种新的被称为ＯＥＥ（设备综合效率）的评估方式，为芯片制造者和设备供应者提供了进一步理解和改进生产率的极好方法。     

氙灯泵浦新型晶体Nd∶S－VAP调Q激光器腔内倍频研究

采用氙灯泵浦晶体Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ，ＫＴＰ晶体腔内倍频，实现了Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ晶体０．５３２５μｍ绿光激光ＢＤＮ染料片调Ｑ运转。测量了输出绿光激光的特性及不同腔长和染料片小信号透过率情况下的输出能量及脉冲宽度，给出了染料片调Ｑ腔内倍频的耦合波方程组，数值求解方程组，所得的理论数据与实验结果很好地相符     

HEMT—HBT单片集成技术

简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。