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讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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新型结构的单片单刀双掷开关顾 蕾，林毅，张顺忠，林立强，卢永宁（南京电子器件研究所，２１００１６）ＭＭＩＣＳＰＤＴｗｉｔｈＮｅｗＳｔｒｕｃｔｕｒｅ￥ＧｕＳｈｉｌｅｉ；ＬｉｎＹｉ；ＺｈａｎｇＳｈｕｎｚｈｏｎｇ；ＬｉｎＬｉｑｉａｎｇ；ＬｕＹｏｎｇｎｉｎｇ... 相似文献
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常规双极晶体管在７７Ｋ下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Ｇｕｍｍｅｌ数，基区方块电阻，渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系，然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。 相似文献
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600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管 总被引：3，自引：2，他引：1
６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ... 相似文献
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热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响 总被引：3，自引：0，他引：3
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ－Ｖ特性曲线畸变，平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ＾ｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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在本文中，我们提出了双凹规划问题和更一般的广义凹规划问题。我们给出了双凹规划问题的整体最优性条件，并构造了一个有限终止外逼近算法。 相似文献