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电过应力是造成MOS集成电路损伤的主要原因,本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力的损伤模式和机理。 相似文献
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讨论了热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C─V特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的tn物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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新型结构的单片单刀双掷开关顾 蕾,林毅,张顺忠,林立强,卢永宁(南京电子器件研究所,210016)MMICSPDTwithNewStructure¥GuShilei;LinYi;ZhangShunzhong;LinLiqiang;LuYongning... 相似文献
106.
常规双极晶体管在77K下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Gummel数,基区方块电阻,渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系,然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。 相似文献
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600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管 总被引:3,自引:2,他引:1
600MHz150W硅脉冲功率晶体管王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华(南京电子器件研究所,210016)A600MHz150WSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥WangYin... 相似文献
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热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了热载流子注入对MOS结构C-V和I-V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C-V特性曲线畸变,平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的t^n物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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