0.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺.实际上2001年0.13μm工艺已达量产.0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术.248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机).     

NFC：近距离无线传输

NFC(NEAR FIELD COMMUNICATION)技术是由非接触式射频识别(RFID)及互连技术的融合演变而来,在数厘米距离内工作于13．56 MHZ频率范围。 NFC技术在ISO 18092、ECMA 340和ETSI TS 102 190内进行标准化。NFC同时兼容于广泛应用的ISO14441A标准之非接触式智能卡基础架构,如飞利浦MIFARE 技术及索尼FELICA卡。 NFC技术脱胎于无线设备间的“非接触式射频识别”(RFID)及互连技术,它可以满足任何两个无线设备间的信息交换、内容访问、服务交换,并且使之更为简约-只要任意两个设备靠近而不需要线缆接插,就可以实现相互间的通信。这将任意两个无线设备间的“通     

系统HDI板盲孔底部裂纹的研究分析

随着高速PCB快速发展,材料多元化,叠构复杂化等特殊设计层出不穷,其中高速材料结合HDI（含Skip Via使不相邻层间直接连接的孔）产品设计与日俱增,逐渐成为业界高端产品主流设计;此类产品不仅线路更细,孔径更小,而且对产品可靠性要求也是越来越高。盲孔底部裂纹因欺骗性强,可侦测性低等因素显得尤为重要。文章从盲孔底部裂纹产生机理、风险流程、检验手段等维度进行研究分析,希望能为读者朋友提供一种解决此类问题的思路。     

产品类

HUBER＋SUHNER推出新微波线缆组件 HUBER＋SUHNER作为全球领先的光电互连元器件的生产商，在射频微波、光纤和低频连接领域都拥有自己的核心技术。SUCOFLEX400和SUCOFLEX100系列产品采用类似的物理结构，近30年来，这种结构的可靠性和稳定性历经了各类应用的验证。     

微铜接触取代BGA,提高可靠性

在传统的芯片级封装和堆叠的封装上封装(PoP)技术中,嵌入在焊料连接中的微铜接触可以在跌落测试和热循环测试中提供更高的可靠性能。     

光电MCM及其物理设计的关键技术

光电多芯片组件（ＯＥＭＣＭ）以其高速、高抗扰和高组装密度等特点，在军事 大规模并行计算机方面有着广阔的应用前景。本文简要介绍光电ＭＣＭ在国内外的研究进展，光互连是实现光电ＭＣＭ的关键，与电互连相比，光互连具有功耗低、极高的带宽、互连数大、互连密度高、无接触互连，以及抗电磁干扰等优点。指出了光电ＭＣＭ物理设计的三个关键问题，散热、系统工作速度和最大光互连距离，而这些解决核心是芯片级最优分割算法的实现     

ATM与异种计算机网络互连

此文在对比了ＡＴＭ网络模型与ＯＳＩ／ＲＭ异同的基础上，从计算机网络体系结构有度出发，阐述了ＡＴＭ与异种计算机网络互连的基本原理，分析了现有协议对ＡＴＭ网络互连的支持讨论了新一代ＩＰＶ６及路由器ＡＴＭ交换机结合技术对ＡＴＭ互连网络的推动。     

民航电信与公用网连接方式的探讨

民航事业的飞速发展动了民航电信和公用通信的发展，民航电信和公用电信网都要求信息传递迅速、准确、可靠。民航和邮电部门共同承担着这一重要任务，他们的分界线是民航电信网和公用通信网接口，研究和探讨民航电信与公用网连接问题，是促进民航电信发展的关键。     

铜互连电迁移可靠性的研究进展

综述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展;讨论了电迁移的基本原理、常用研究方法及主要失效机制;探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,如铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理。最后,指出了铜互连可靠性研究中存在的问题。     

衬底制造商IceMos发布贯穿晶圆互连技术助器件设计者克服封装难题

据EE Times报道，北爱尔兰SOI衬底制造商IceMOS Technology Ltd日前开发了一种全新的贯穿晶圆互连技术（through-wafer interconnect technology）。该公司成立于2004年，专为MEMS和IC市场提供SOI（绝缘体上的硅）衬底。