全文获取类型
收费全文 | 24829篇 |
免费 | 4206篇 |
国内免费 | 3331篇 |
专业分类
化学 | 4136篇 |
晶体学 | 85篇 |
力学 | 732篇 |
综合类 | 273篇 |
数学 | 1455篇 |
物理学 | 6118篇 |
无线电 | 19567篇 |
出版年
2024年 | 208篇 |
2023年 | 660篇 |
2022年 | 786篇 |
2021年 | 801篇 |
2020年 | 651篇 |
2019年 | 760篇 |
2018年 | 471篇 |
2017年 | 721篇 |
2016年 | 767篇 |
2015年 | 903篇 |
2014年 | 1572篇 |
2013年 | 1299篇 |
2012年 | 1560篇 |
2011年 | 1634篇 |
2010年 | 1534篇 |
2009年 | 1692篇 |
2008年 | 1823篇 |
2007年 | 1607篇 |
2006年 | 1570篇 |
2005年 | 1499篇 |
2004年 | 1396篇 |
2003年 | 1317篇 |
2002年 | 960篇 |
2001年 | 797篇 |
2000年 | 622篇 |
1999年 | 551篇 |
1998年 | 542篇 |
1997年 | 472篇 |
1996年 | 524篇 |
1995年 | 420篇 |
1994年 | 346篇 |
1993年 | 314篇 |
1992年 | 354篇 |
1991年 | 336篇 |
1990年 | 343篇 |
1989年 | 327篇 |
1988年 | 90篇 |
1987年 | 42篇 |
1986年 | 20篇 |
1985年 | 25篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 16篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 3篇 |
1977年 | 1篇 |
1976年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
981.
982.
在光波导模场分布高斯近似条件下,根据星形光波导耦合器的耦合特性,推导出了基于累加运算和卷积运算近似表达的阵列波导光栅梳状带通滤波器光谱响应效率的函数表达式。给出了阵列波导光栅梳状带通滤波器光谱响应效率曲线的半最大值全宽度和阵列波导光栅梳状带通滤波器的通道中心波长的光谱响应度与器件参数的关系。在输入信号光谱分布高斯近似条件下,给出了阵列波导光栅梳状带通滤波器信号通道传输效率的计算表达式和输入信号光谱宽度对阵列波导光栅梳状带通滤波器信号通道输出特性的影响。给出了物理意义明确的函数表达式,它们可为快速分析阵列波导光栅梳状带通滤波器的特性提供理论基础。 相似文献
983.
介绍了一种新型的具有双参量测量功能的光纤布喇格光栅传感器.该传感器采用了特殊的结构,安装了两个不同中心波长的光纤布喇格光栅,可以实现两曲面之间狭小间隙的微小位移和温度的同时测量.实验表明,该传感器结构紧凑、体积小,具有良好的重复性和稳定性,位移测量误差不超过±10 μm,温度测量误差不超过±2℃. 相似文献
984.
985.
对描述双掺杂晶体非挥发性全息记录动力学过程的Kukhtarev方程进行了矢量分析,分析中考虑了体光生伏特效应和外加电场的作用。在小信号近似的基础上给出了双中心全息记录中记录与固定阶段空间电荷场的矢量解析解。在综合考虑空间电荷场的各向异性以及晶体有效电光系数的各向异性后,给出了双中心全息记录的优化记录方向。结果表明,对(Fe,Mn)∶LiNbO3晶体633nm寻常光记录,优化记录方向主要由有效电光系数决定,光栅波矢与光轴夹角为22°,方位角为30°;对(Fe,Mn)∶LiNbO3晶体633nm非寻常光记录,优化记录方向主要由固定空间电荷场决定,光栅波矢与光轴夹角为44°,方位角为90°。 相似文献
986.
斯塔克效应对两模双光子J-C模型腔场谱的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了斯塔克(Stark)效应对两模双光子Jaynes-Cummings(J-C)模型腔场谱的影响,推导计算出了腔场处于光子数态时腔场谱的计算公式和数值结果,讨论了斯塔克效应和初始场强对腔场谱的影响。发现斯塔克效应在弱场条件下对腔场谱线的频率和强度都有明显的影响,破坏了谱结构的对称性,使两模的谱线更加丰富。初始场较强时斯塔克效应对谱线的影响较弱。模Ⅰ为真空场、模Ⅱ初始场强递增时,斯塔克效应使模Ⅱ的高频峰受到较强的抑制作用,其低频峰在初始场较弱时受到抑制,初始场较强时又有强化作用,初始场更强时,模Ⅱ的谱线退化为经典的共振荧光谱,与无斯塔克效应的情况基本相同。 相似文献
987.
988.
该文研制了一款频率3.4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构,能提升抗热释电静电损伤能力,用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2.0 mm×1.6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接,降低了电磁寄生影响。结果表明,研制的SAW滤波器频率为3.408 GHz,插损为2.23 dB,8 GHz远端阻带大于30 dB,且实测的功率承受能力达到30 dBm。 相似文献
989.
990.