长相关积累STAP处理的星载SAR-GMTI

目前多通道STAP多应用在短相干脉冲积累(CPI)模式的非成像体制雷达地杂波抑制,而对长CPI的SAR成像体制下的讨论较少。文中首先分析两种体制下STAP采用的不同信号模型,研究CPI对回波统计特性的影响和两种体制目标功率谱的差异。然后讨论SAR成像体制下STAP的应用,分析空时去相干性的影响。指出星载非平稳杂波环境中长CPI多普勒后处理的优势:既能有效降低杂波秩,减小样本支持数,同时减弱对空时去相关源的敏感性,又可得到动目标SAR图像。最后给出仿真实例。     

1310nm、1550nm全光纤型双窗口宽带耦合器

介绍一种利用熔融拉锥技术制作1310nm、1550nm 全光纤型双窗口宽带耦合器的新方法。文中还给出了利用这种方法制成的器件的基本性能参数。器件能较好地满足实际工程的要求。     

高性能双栅复合介质ZnO薄膜晶体管的模拟

提出ZnO薄膜晶体管的一种新型结构——双栅复合介质结构,并利用ATLAS软件对双栅复合介质结构与双栅单介质结构进行仿真。对比分析结果表明,采用复合介质材料可以明显提高器件的电学特性,在相同偏置条件下,双栅复合介质结构饱和电流为5.5×10-5 A,阈值电压为5.83V,亚阈值斜率为0.128V/dec,开关电流比为109;双栅单介质结构相应值分别为1.3×10-7 A、15.5V、0.297V/dec和108。通过晶界势垒高度随VGS变化分析了新型结构阈值电压降低的物理机制。     

分析宽频带、双极化、恒束宽四脊喇叭的混合方法

介绍了作为反射面天线馈源的宽频带、双极化、恒波束四脊喇叭，运用有限元和模式匹配相结合的混合法详细且计算了四脊喇叭的广义散射矩阵。然后运用口面积分计算了四脊喇叭的辐射远场，给出了四脊喇叭和用四脊喇叭做馈源的反射面天线的实测结果。     

28 nm低功耗工艺SRAM失效分析

在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值.     

鼎鸿大功率激光加工设备走俏国内外市场

鼎鸿激光设备有限公司与意大利企业合作，并利用意大利（OBM）原创设计，中意双剑合壁，建成亚洲地区生产规模最大的激光加工设备生产基地。通过对引进技术的吸收、消化、创新，实现了研发本地化、生产本地化、服务本地化、协作本地化，倾力打造亚洲生产规模最大的激光装备基地。鼎鸿十分渴望成为市场（行业）规模制定者，创新的发起者和精神的领袖。鼎鸿人过去已成功地打造出国内知名品牌，这次与意大利合作就是充分利用意大利企业的技术和市场运作方式，刻意追求技术领先一步，打造国际知名品牌。     

美国陆军正在寻求用于致冷型双波段红外焦平面阵列的三维读出集成电路

据www.militaryaerospace.com网站报道,美国陆军的研究人员正在业界内寻找能够通过设计用于红外焦平面阵列(IRFPA)技术的三维读出集成电路来推动红外传感器技术向前发展的公司。美国陆军合同司令部的官员代表美国陆军研发与工程司令部(RDECOM),通信与电子研究、开发和工程中心(CERDEC)以及夜视与电子传感器管理局(NVESD)发布了一份旨在寻求企业参与研制IRFPA计划中的三维读出集成电路的通告(W909MY-13-Q-ROIC)。这个项目力图通过研制适用于大规格、小像元、高性能致冷型双波段红外焦平面阵列的三维读出电路结构来提高目前的红外技术水平。     

研诺推出内置过压保护双输入充电器芯片

电源管理集成电路开发商研诺逻辑科技有限公司推出产品编号为AAT3691的一款内置了高达28V过压保护的双输入电池充电器芯片。为满足业界对多电源电池充电的高灵活性和稳定性要求而设计,该款新型电池充电器支持诸如手机、数码相机以及其他手持设备应用中交流电适配器和USB接口两种输入。该充电器可对输入源提供最短的充电时间进行智能评估,并修订充电路径,同时内置的过压保护可避免电池和系统的错误输入。     

双闪耀光栅的计算机设计与制作方法

提出一种用计算机设计制作的双闪耀光栅，是在闪耀光栅和双频光栅基础上发展起来的一种新型光学元件，是由微闪耀光栅列阵组成的、兼有闪耀光栅和双频光栅的优良特性。     

FTIR测量及双调制和步进扫描技术的应用

介绍了傅里叶变换红外（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ） 测量及双调制和步进扫描技术的基本原理,讨论了中红外波段半导体材料和器件光谱研究中的一些特殊要求以及在 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ 方法中引入双调制和步进扫描技术的必要性,并结合一些具体应用实例探讨了这些技术的适用范围。