一种改进的高速DAC电流开关及其控制信号的产生

系统分析了高速电流型CMOS数模转换器中电流开关对输出毛刺的影响,给出了减小输出毛刺的方法.改进了电流开关及其控制信号的产生电路.利用改进后的电路设计了一个8位数模转换器,在5V电源,满量程输出20mA条件下,模拟得到最大输出毛刺为3pV-s,且电路在100MHz采样频率,10MHz信号频率下,无假信号动态范围达到53dB.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

采用MMIC＋模块的结构替代传统的双模块放大器方案简介

PDICATv放大模块采用GaAs材料，具有优异的抗非线性失真指标，而且其功率倍增产品的增益可做到25dB，27dB，32dB，甚至更高。这就使得用“MMIC＋GaAs模块”的方案替代传统的用两只模块制作30dB，32dB放大器成为可能。     

NI PXI／SCXI RF：多路复用开关模块

NI推出NIPXI和SCXI RF多路复用开关模块，可在电信、军事／航空航天和自动化测试应用中，帮助用户发送精确的无线电信号。所有的开关模块均提供了电压驻波比（voltage standing wave ratio，VSWR）、隔离和连接损耗规格，以保证在整个频率范围内的信号完整性。该模块具有内置式的继电器计数跟踪，以便对模块进行可预测的维护。     

10Hz Q 开关100mJ 小型无水冷激光器

介绍了一种重频10Hz ,Cr4 + ∶YAG被动Q 开关输出能量约100mJ 的小型无水冷固体 激光器,和无水冷激光器常用的几种结构形式,为提高器件的环境适应性,采用了角锥棱镜作为全反镜,器件在常温下输出约107mJ ,在高温+ 50 ℃环境条件下工作,激光输出112mJ ;在低温- 40 ℃环境条件下工作,激光输出103mJ 。     

双电池系统电源选择器MAX1773/1773A

MAX1773／MAX1773A是用于双电池系统的电源选择器，它允许外部控制器去管理双电池组、适配器输入、电池充电器和系统负载所需的电源连接。文中介绍了MAX1773／1773A的特点、引脚功能、内部结构和工作原理，给出了MAX1773/MAX1773A的典型工作电路。     

基于扩展分形和CFAR特征融合的SAR图像目标识别

研究了多信息融合技术在SAR图像目标识别中的应用。将扩展分形特征(Extended Fractal)与双参数恒虚警特征(Double Parameter CFAR)形成的多信息进行融合处理。运用Dempster-Shafer证据理论，在决策层对SAR图像中的像素进行识别分类。实验结果表明通过融合对像素分类的准确性明显好于单特征的检测结果，减少了虚警概率，提高了系统的识别能力。     

编码开关在测试仪表电路中的应用

介绍数字拔码盘开关的种类、特点和基本原理，分别介绍在数字电路以及在模拟电路中的应用。